資料介紹
什么是高頻RFID系統(tǒng),什么是低頻RFID系統(tǒng),什么是有源標(biāo)簽。..,它們之間有什么差異和特點(diǎn)? 無(wú)線(xiàn)電技術(shù)在自動(dòng)識(shí)別領(lǐng)域應(yīng)用中更具體的技術(shù)名稱(chēng)為射頻識(shí)別, 英文為 Radio Frequency Identification, 簡(jiǎn)稱(chēng)為RFID。射頻識(shí)別系統(tǒng)的組成一般至少包括兩個(gè)部分:
?。?)電子標(biāo)簽,英文名稱(chēng)為T(mén)ag;
(2)閱讀器,英文名稱(chēng)為Reader。
電子標(biāo)簽中一般保存有約定格式的電子數(shù)據(jù),在實(shí)際應(yīng)用中,電子標(biāo)簽附著在待識(shí)別物體的表面。閱讀器又稱(chēng)為讀出裝置,可無(wú)接觸地讀取并識(shí)別電子標(biāo)簽中所保存的電子數(shù)據(jù),從而達(dá)到自動(dòng)識(shí)別物體的目的。進(jìn)一步通過(guò)計(jì)算機(jī)及計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)對(duì)物體識(shí)別信息的采集、處理及遠(yuǎn)程傳送等管理功能。
射頻識(shí)別的分類(lèi)
射頻識(shí)別技術(shù)依其采用的頻率不同可分為低頻系統(tǒng)和高頻系統(tǒng)兩大類(lèi);根據(jù)電子標(biāo)簽內(nèi)是否裝有電池為其供電,又可將其分為有源系統(tǒng)和無(wú)源系統(tǒng)兩大類(lèi);從電子標(biāo)簽內(nèi)保存的信息注入的方式可將其為分集成電路固化式、現(xiàn)場(chǎng)有線(xiàn)改寫(xiě)式和現(xiàn)場(chǎng)無(wú)線(xiàn)改寫(xiě)式三大類(lèi);根據(jù)讀取電子標(biāo)簽數(shù)據(jù)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)手段,可將其分為廣播發(fā)射式、倍頻式和反射調(diào)制式三大類(lèi)。
1. 低頻系統(tǒng)一般指其工作頻率小于30MHz, 典型的工作頻率有:125KHz、225KHz、13.56M等,基于這些頻點(diǎn)的射頻識(shí)別系統(tǒng)一般都有相應(yīng)的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。其基本特點(diǎn)是電子標(biāo)簽的成本較低、標(biāo)簽內(nèi)保存的數(shù)據(jù)量較少、閱讀距離較短(無(wú)源情況,典型閱讀距離為10cm)、電子標(biāo)簽外形多樣(卡狀、環(huán)狀、鈕扣狀、筆狀)、閱讀天線(xiàn)方向性不強(qiáng)等。
2. 高頻系統(tǒng)一般指其工作頻率大于400MHz,典型的工作頻段有:915MHz、2450MHz、5800MHz等。高頻系統(tǒng)在這些頻段上也有眾多的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)予以支持。高頻系統(tǒng)的基本特點(diǎn)是電子標(biāo)簽及閱讀器成本均較高、標(biāo)簽內(nèi)保存的數(shù)據(jù)量較大、閱讀距離較遠(yuǎn)(可達(dá)幾米至十幾米),適應(yīng)物體高速運(yùn)動(dòng)性能好、外形一般為卡狀、閱讀天線(xiàn)及電子標(biāo)簽天線(xiàn)均有較強(qiáng)的方向性。
3. 有源電子標(biāo)簽內(nèi)裝有電池,一般具有較遠(yuǎn)的閱讀距離,不足之處是電池的壽命有限(3~10年);無(wú)源電子標(biāo)簽內(nèi)無(wú)電池,它接收到閱讀器(讀出裝置)發(fā)出的微波信號(hào)后,將部分微波能量轉(zhuǎn)化為直流電供自己工作,一般可做到免維護(hù)。相比有源系統(tǒng),無(wú)源系統(tǒng)在閱讀距離及適應(yīng)物體運(yùn)動(dòng)速度方面略有限制。
4. 集成固化式電子標(biāo)簽內(nèi)的信息一般在集成電路生產(chǎn)時(shí)即將信息以ROM工藝模式注入, 其保存的信息是一成不變的;現(xiàn)場(chǎng)有線(xiàn)改寫(xiě)式電子標(biāo)簽一般將電子標(biāo)簽保存的信息寫(xiě)入其內(nèi)部的E2存貯區(qū)中改寫(xiě)時(shí)需要專(zhuān)用的編程器或?qū)懭肫鳎膶?xiě)過(guò)程中必須為其供電;現(xiàn)場(chǎng)無(wú)線(xiàn)改寫(xiě)式電子標(biāo)簽一般適用于有源類(lèi)電子標(biāo)簽,具有特定的改寫(xiě)指令,電子標(biāo)簽內(nèi)保存的信息也位于其中的E2存貯區(qū)。
一般情況下改寫(xiě)電子標(biāo)簽數(shù)據(jù)所需時(shí)間遠(yuǎn)大于讀取電子標(biāo)簽數(shù)據(jù)所需時(shí)間。通常,改寫(xiě)所需時(shí)間為秒級(jí),閱讀時(shí)間為毫秒級(jí)。
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