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Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor component for
high frequency DC/DC converters. Because fast switching
leads to less switching loss, dv/dt on the drain of the
MOSFET becomes higher and higher. However, high dv/dt
can cause the MOSFET to turn on without a normal trigger
signal on the gate, and possibly results in more power
dissipation. There are several possible modes of such
undesired turn-on[1][2]. The most common mode is related to
the parasitic capacitance and inductance. In this paper, an
analytical approach is proposed to study the influence of
theses parasitic on the spurious turn-on voltage.
high frequency DC/DC converters. Because fast switching
leads to less switching loss, dv/dt on the drain of the
MOSFET becomes higher and higher. However, high dv/dt
can cause the MOSFET to turn on without a normal trigger
signal on the gate, and possibly results in more power
dissipation. There are several possible modes of such
undesired turn-on[1][2]. The most common mode is related to
the parasitic capacitance and inductance. In this paper, an
analytical approach is proposed to study the influence of
theses parasitic on the spurious turn-on voltage.
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