碩凱電子SOCAY半導(dǎo)體放電管TSS工作原理及選型應(yīng)用

1、產(chǎn)品簡述半導(dǎo)體過壓保護(hù)器是根據(jù)可控硅原理采用離子注入技術(shù)生產(chǎn)的一種新型保護(hù)器件，具有精確導(dǎo)通、快速響應(yīng)（響應(yīng)時(shí)間 ns 級(jí)）、浪涌吸收能力較強(qiáng)、雙向?qū)ΨQ、可靠性高等特點(diǎn)。由于其浪涌通流能力較同尺寸的 TVS 管強(qiáng)，可在無源電路中代替 TVS 管使用。但它的導(dǎo)通特性接近于短路，不能直接用于有源電路中，在這樣的電路中使用時(shí)必須加限流元件，使其續(xù)流小于最小維持電流。半導(dǎo)體過壓保護(hù)器有貼裝式、直插式和軸向引線式三種封裝形式。

2、工作原理 ?反向工作狀態(tài)（K端接正、A端接負(fù)） ?正向工作狀態(tài)（A端接正、K端接負(fù)）

①阻斷區(qū)：此時(shí)器件兩端所加電壓低于擊穿電壓，J1正偏，J2為反偏，電流很小，起了阻擋電流的作用，外加電壓幾乎都加在了J2上。

②雪崩區(qū)：當(dāng)外加電壓上升接近J2結(jié)的雪崩擊穿電壓時(shí)，反偏J2結(jié)空間電荷區(qū)寬度擴(kuò)展的同時(shí)，結(jié)區(qū)內(nèi)電場大大增強(qiáng)，從而引起倍增效應(yīng)加強(qiáng)。于是，通過J2結(jié)的電流突然增大，并使流過器件的電流也增大，這就是電壓增加，電流急劇增加的雪崩區(qū)。

③負(fù)阻區(qū)：當(dāng)外加電壓增加到大于VBO時(shí)，由于雪崩倍增效應(yīng)而產(chǎn)生了大量的電子空穴對(duì)，此時(shí)這些載流子在強(qiáng)場的作用下，電子進(jìn)入n2區(qū)，空穴進(jìn)入p1區(qū)，由于不能很快復(fù)合而分別堆積起來，使J2空間電荷區(qū)變窄。由此使p1區(qū)電位升高、n2區(qū)電位下降，起了抵消外電壓的作用。隨著J2結(jié)區(qū)電場的減弱，降落在J2結(jié)上的外電壓將下降，雪崩效應(yīng)也隨之減弱。另一方面，J1、J3結(jié)的正向電壓卻有所增加，注入增強(qiáng)，造成通過J2結(jié)的電流增大，于是出現(xiàn)了電流增加電壓減小的負(fù)阻現(xiàn)象。

④低阻通態(tài)區(qū)：如上所述，雪崩效應(yīng)使J2結(jié)兩側(cè)形成空穴和電子的積累，造成J2結(jié)反偏電壓減?。煌瑫r(shí)又使J1、J3結(jié)注入增強(qiáng)，電流增大，因而J2結(jié)兩側(cè)繼續(xù)有電荷積累，結(jié)電壓不斷下降。當(dāng)電壓下降到雪崩倍增完全停止，結(jié)電壓全部被抵消后，J2結(jié)兩側(cè)仍有空穴和電子積累時(shí)，J2結(jié)變?yōu)檎４藭r(shí)，J1、J2和J3全部為正偏，器件可以通過大電流，因而處于低阻通態(tài)區(qū)。完全導(dǎo)通時(shí)，其伏安特性曲線與整流元件相似。