1.三極管在ＢＥ之間加上正向電壓時，由于外加電場破壞了ＰＮ結(jié)的動態(tài)平衡（ＰＮ結(jié)的動 態(tài)平衡是指：多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動和少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動達(dá)到平衡，這句話很繞，其實(shí) 是這樣的：也就是說在ＰＮ結(jié)的接觸面上空穴和自由電子的數(shù)目是一樣的，從而達(dá)到電中性）。 這里我解釋一下，為什么在ＰＮ結(jié)內(nèi)會形成內(nèi)電場？原因是這樣的：因?yàn)樵冢行?a target='_blank' class='arckwlink_none'>半導(dǎo)體和Ｎ 型半導(dǎo)體內(nèi)多數(shù)載流的數(shù)目是不一樣的，從而形成濃度差，自然的進(jìn)行擴(kuò)散運(yùn)動，由于擴(kuò)散 運(yùn)動，在 P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體的接觸面上就會存在電勢差，從而就有了電場。而這個 電場力會阻礙 P 型半導(dǎo)體空穴向 N 型半導(dǎo)體移動，而當(dāng)外加電場時，在 B 和 E 之間加正向 電壓時，會削弱內(nèi)電場，破壞了 PN 結(jié)的動態(tài)平衡，從而擴(kuò)散運(yùn)動源源不斷的進(jìn)行，進(jìn)而產(chǎn) 生正向電流。

2.當(dāng) BE 之間加正向電壓時，N 型半導(dǎo)體，也就是 E 極的多數(shù)載流子（也就是自由電子）會 進(jìn)行擴(kuò)散運(yùn)動，到達(dá)基區(qū)，與基區(qū)的多數(shù)載流子空穴復(fù)合（當(dāng)然復(fù)合的電子及其的少）。由 于 E 極的自由電子的擴(kuò)散運(yùn)動從而產(chǎn)生 E 極電流，基區(qū)的自由電子和空穴復(fù)合，這種復(fù)合運(yùn) 動產(chǎn)生 B 極電流，（當(dāng)然在這里，B 區(qū)的空穴也會向 E 極進(jìn)行擴(kuò)散運(yùn)動，產(chǎn)生電路，但及其 微弱，我們研究時都是忽略的）。

3.當(dāng)Ｃ和Ｅ之間加上反偏電壓時，到達(dá)基區(qū)的自由電子在外加電場力的作用力進(jìn)行擴(kuò)散運(yùn)動， 從而產(chǎn)生Ｃ極電流。Ｃ極電流是擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生的。

4.我們常說的放大倍數(shù) β 其實(shí)是交流放大倍數(shù)，還有一個直流放大倍數(shù)，它們近似是相等 的。

5.這里我想重點(diǎn)說一下，PN 結(jié)的結(jié)電容，PN 結(jié)的結(jié)電容是勢壘電容和分布電容的總和，有 電容的存在，那么三級管在對高頻信號放大時就需要去考慮它的分布電容對放大能力的影響。 這一點(diǎn)，讓我想到了 MOS 開關(guān)電路，為什么 MOS 管在做高頻開關(guān)時，需要接三級管圖騰柱 式的輸出，就是因?yàn)樵?MOS 管的 G 和 S 之間存在很大的電容，開關(guān)頻率過高，電容還未來 得及放電，下一個脈沖信號又來了，MOS 管起不到作用，因?yàn)椋呛?S 之間的電容在下一個 脈沖信號來之前它沒有放電完后，就一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，MOS 管發(fā)熱及其嚴(yán)重，所以一旦 接了三極管的圖騰柱式輸出，可以在極短的時間里把電放掉，從而快速的通斷。