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. BTN7971B是一個集成的大電流半橋電機驅動應用。它是Novalistic?系列的一部分，包含一個P通道高側MOSFET和一個N通道低側MOSFET，一個封裝中帶有集成驅動IC。由于P通道高壓側開關，因此無需充電泵，從而將EMI降至最低。集成驅動芯片易于與微控制器接口，具有邏輯電平輸入、電流檢測診斷、轉換率調整、死區(qū)時間產生和過溫、過電壓、欠壓、過流和短路保護等特點。
BTN797 1B提供了一種用于保護高電流PWM電機驅動器的成本優(yōu)化解決方案，具有非常低的電路板空間消耗。
BTN7971B是Novalistic?系列的一部分，包含三個單獨的芯片，一個封裝在一個封裝中：一個P通道高側MOSFET和一個N通道低側MOSFET以及一個驅動IC，形成一個集成的大電流半橋。三個芯片均安裝在一個通用引線框架上，采用片上芯片和逐片技術。電源開關采用垂直MOS技術，以確保最佳的通態(tài)電阻。由于P溝道高邊開關，電荷泵的需要被消除，從而最小化EMI。集成驅動芯片易于與微控制器接口，具有邏輯電平輸入、電流檢測診斷、轉換率調整、死區(qū)時間產生和過溫、過電壓、欠壓、過流和短路保護等特點。BTN7971B可與其他BTN7971B組合，形成HBridge和3相驅動配置。
特征
?150°C時最大路徑電阻為30.5 MΩ（典型16 MΩ@25°C）
高壓側：最大12.8 MΩ@150°C（典型7 MΩ@25°C）
低壓側：最大17.7 MΩ@150°C（典型9 MΩ@25°C）
?典型的低靜態(tài)電流。7μA @ 25°C
?高達25 kHz的脈寬調制能力，結合主動飛輪
?提高開關速度，減少開關損耗
?開關模式電流限制，以減少過流中的功耗
?電流限制水平為50 A最小值/70 A典型值。（下側）
?具有當前感知能力的狀態(tài)標志診斷
?超溫關閉，帶鎖扣行為
?過電壓鎖定
?欠壓停機
?帶邏輯電平輸入的驅動電路
?可調轉換速率，優(yōu)化EMI
?綠色產品（符合RoHS）
?符合AEC標準
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