1．在常溫下，硅二極管的門檻電壓約為0.5V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V；鍺二極管的門檻電壓約為0.1V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為0.2V。

　　2、二極管的正向電阻?。环聪螂娮璐?。

　　3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦浴＃校谓Y(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。

　　4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦裕?a target='_blank' class='arckwlink_none'>穩(wěn)壓二極管在使用時(shí)，穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián)，穩(wěn)壓二極管與輸入電源之間必須加入一個(gè)電阻。

　　5、電子技術(shù)分為模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)兩大部分，其中研究在平滑、連續(xù)變化的電壓或電流信號(hào)下工作的電子電路及其技術(shù)，稱為模擬電子技術(shù)。

　　6、PN結(jié)反向偏置時(shí)，PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)。PN具有具有單向?qū)щ娞匦浴?/p>

　　7、硅二極管導(dǎo)通后，其管壓降是恒定的，且不隨電流而改變，典型值為0.7伏；其門坎電壓Vth約為0.5伏。

　　8、二極管正向偏置時(shí)，其正向?qū)娏饔啥鄶?shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成。

　　9、P型半導(dǎo)體的多子為空穴、N型半導(dǎo)體的多子為自由電子、本征半導(dǎo)體的載流子為電子—空穴對(duì)。

　　10、因摻入雜質(zhì)性質(zhì)不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體可為空穴（P）半導(dǎo)體和電子（N）半導(dǎo)體兩大類。

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