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由于電源效率變得越來越重要，我們必須使用更高的開關(guān)速度來降低損耗。然而，開關(guān)速度提高以后，我們必須要考慮進(jìn)行一些折中選擇，例如 ?電磁干擾(EMI)的隨之增加。同步降壓轉(zhuǎn)換器中，高速開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)在開關(guān)節(jié)點(diǎn)會(huì)有巨大的電壓過沖和振鈴。振鈴的大小與高側(cè)MOSFET的開關(guān)速度以及布局和FET封裝的雜散電感有關(guān)。我們必須注意選擇正確的電路和布局設(shè)計(jì)方法，以將這種振鈴維持在同步FET最大絕對(duì)額定值以下。
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