資料介紹
N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET
Features ? miniBLOC package - Electrically isolated copper base - Low coupling capacitance to the heatsink for reduced EMI - High power dissipation due to AlN ceramic substrate - International standard package SOT-227 - Easy screw assembly ? fast CoolMOS? 1) power MOSFET 3rd generation - High blocking capability - Low on resistance - Avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS) - Low thermal resistance due to reduced chip thickness ? Enhanced total power density Applications ? Switched mode power supplies (SMPS) ? Uninterruptible power supplies (UPS) ? Power factor correction (PFC) ? Welding ? Inductive heating
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