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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>lm5100/lm5101高壓高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

      lm5100/lm5101高壓高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

      2017-06-15 | rar | 0.85 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　布局的思考

      　　高和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的最佳性能不能實(shí)現(xiàn)不采取適當(dāng)?shù)?。電路板布局中的考慮。強(qiáng)調(diào)以下幾點(diǎn)。

      　　1.低ESR / ESL電容必須連接到IC，并在VDD和VSS之間的引腳和之間HB和HS引腳支持高峰值電流繪制從VDD在外部的開啟。MOSFET。

      　　2.為了防止頂部MOSFET漏極的電壓瞬變，必須使用低ESR的電解電容器。連接MOSFET漏極和接地（VSS）。

      　　3.為了避免開關(guān)節(jié)點(diǎn)（HS）引腳上的大的負(fù)瞬變，寄生電感在

      　　必須將頂部MOSFET的源極和底部MOSFET（同步整流器）的漏極降至最低。

      　　4.接地的考慮：

      　?。╝）設(shè)計(jì)接地連接的首要任務(wù)是限制高峰值電流。在最小物理面積上充放電MOSFET柵極。這將減少循環(huán)。MOSFET柵極端的電感和最小噪聲問題。MOSFET應(yīng)該是盡可能靠近門驅(qū)動(dòng)器。

      　?。╞）第二大電流通路包括自舉電容、自舉二極管、局部接地。參考旁路電容和低側(cè)MOSFET體二極管。自舉電容充電。逐周期的基礎(chǔ)上，自舉二極管從接地參考VDD旁路電容器。充電發(fā)生在很短的時(shí)間間隔，涉及高峰值電流。最小化這個(gè)循環(huán)長(zhǎng)度路板上的面積對(duì)保證可靠運(yùn)行非常重要。

      lm5100/lm5101高壓高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

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