兆赫級超高頻感應(yīng)加熱在金屬表面熱處理與加熱工藝中具有獨特的優(yōu)點和良好的應(yīng)用前景，但目前該頻段的加熱電源仍以電子管振蕩器為主。眾所周知，電子管感應(yīng)加熱設(shè)備效率很低（50%左右），器件使用壽命短，需要預(yù)熱啟動［1］ 。采用MOSFET等快速電力電子器件研制全固態(tài)超高頻感應(yīng)加熱已經(jīng)成為該領(lǐng)域的發(fā)展趨勢，并在 1MHz左右的小功率應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)取得了一些成果［2-13］。相對于較低頻率（如幾十kHz、幾百kHz），兆赫級超高頻電源由于開關(guān)頻率高，在電路設(shè)計和生產(chǎn)工藝上增加了很多問題，特別是需要解決電路中雜散分布參數(shù)引起的電壓電流過沖和器件開關(guān)損耗大這兩大問題。因為在兆級頻率下，線路中的雜散電感和器件寄生電容的等效阻抗已經(jīng)不能忽略，所引起的寄生振蕩和電壓、電流過沖將危及電路的正常工作；另一方面，隨著工作頻率的上升，器件的開關(guān)損耗也隨之增大。因此，設(shè)計超高頻電源的電路首先需要能夠吸收（或工藝上減?。╇娐分械碾s散分布參數(shù)、減低開關(guān)損耗。目前超高頻小功率加熱電源的拓?fù)涠酁閱喂芑螂p管結(jié)構(gòu)：Class-D電路在射頻電源中有較長的應(yīng)用歷史，也適合于高頻加熱工作［4，8-9］。文獻(xiàn)［4］研究了 D類諧振逆變器并研制了 1MHz加熱電源。但是D類諧振逆變器屬于電壓型逆變器，上下開關(guān)必須設(shè)置導(dǎo)通死區(qū)，該死區(qū)需要占用每個周期內(nèi)的一段時間，這不利于頻率的進(jìn)一步提高，且電壓型電路短路保護(hù)較困難。Class-E電路［10］通過在功率器件兩端并聯(lián)電容來吸收器件寄生電容，目前已有采用E類雙管拓?fù)溲兄瞥晒?2MHz小功率感應(yīng)加熱電源的報導(dǎo) ［11］。雖然Class-E電路的開關(guān)損耗小，適合應(yīng)用于超高頻、甚至射頻領(lǐng)域，但由于其負(fù)載適應(yīng)能力差，在負(fù)載參數(shù)變化范圍較大的感應(yīng)加熱中應(yīng)用有很大的局限性。借鑒DC/DC變換中的軟開關(guān)技術(shù)應(yīng)用于超高頻感應(yīng)加熱［13-17］，需要注意吸收開關(guān)回路的分布參數(shù)和諧振槽路負(fù)載匹配問題。本文針對兆赫級超高頻工作狀況，提出了一種能夠吸收線路雜散分布參數(shù)，且電路中開關(guān)器件工作于零電壓軟開關(guān)的新型雙管超高頻感應(yīng)加熱電源電路。該結(jié)構(gòu)另一個突出的優(yōu)點是：在輸入端增加了高頻平波電抗器，所以該拓?fù)溆志哂须娏餍湍孀兤鞯膬?yōu)點：兩只開關(guān)的導(dǎo)通沒有死區(qū)時間的限制。本文介紹了電路的工作原理，分析了諧振槽路的電壓電流波形，并給出了仿真與實驗結(jié)果。