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超高速精確度模擬電路SOI上的5V互補(bǔ)SiGe BiCMOS技術(shù):本文介紹了一種新型的互補(bǔ)SiGe BiCMOS 技術(shù)。該技術(shù)帶有完全電介質(zhì)絕緣的 5V 多發(fā)射極 NPN和PNP 晶體管、5V CMOS、高精度 MIM 電容器、高精度薄膜電阻及多晶硅 (poly) 電阻、多狀態(tài)金屬保險(xiǎn)絲以及三級(jí)冶金 (metallurgy)。在這種獨(dú)特的技術(shù)基礎(chǔ)之上，我們實(shí)現(xiàn)了增益為 5 而 IMD3 在100MHz 下僅為 -90dBc 的 2.3GHz 電壓反饋放大器。
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