半導(dǎo)體器件一直是沿著提高器件工作頻率和提高器件功率處理能力這兩個(gè)方向發(fā)展的。每一種器件在頻率和功率兼顧時(shí)都存在著某種限制。為了突破這種限制，人們不斷探索新的器件工作原理、新的器件結(jié)構(gòu)，以不斷解決在提高器件頻率和功率過(guò)程中的矛盾。如晶閘管雖然其功率控制容量可以達(dá)到MW以上，但其工作頻率較低，一般限制在10kHz以?xún)?nèi)。為了突破這一限制，后來(lái)發(fā)展了大功率雙極型晶體管（GTR）。現(xiàn)在，達(dá)林頓大功率雙極型晶體管的功率控制容量雖比晶閘管低一個(gè)數(shù)量級(jí)（0.MW），但其工作頻率卻提高了兩個(gè)數(shù)量級(jí)（MHz），因此總的來(lái)看是前進(jìn)了功率雙極型晶體管工作頻率要進(jìn)一步提高，則受到其基區(qū)和集電區(qū)中少子存儲(chǔ)效應(yīng)的限制。為了突破這一限制，人們?cè)谔剿?、開(kāi)發(fā)多子功率器件—功率MOS器件。目前功率MOS器件的功率控制容量比功率雙極型晶體管約低一個(gè)數(shù)量級(jí)（約0.01MW），但其工作頻率卻提高了兩個(gè)數(shù)量級(jí)（約100MHz）。因此，從器件的頻率和功率兼顧來(lái)看，功率MOS器件的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體器件的發(fā)展又前進(jìn)了一步。

　　MS320x28xx和TMS320x28xx是C2000系列微控制器（MCU）的成員。這些設(shè)備面向嵌入式控制應(yīng)用。為了便于編寫(xiě)和高效地在這些設(shè)備上嵌入嵌入式C/C++代碼，德克薩斯儀器提供了用于訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)存映射的外圍寄存器的硬件抽象層方法。這些方法是位域和寄存器文件結(jié)構(gòu)方法，以及C2000外圍驅(qū)動(dòng)程序庫(kù)方法。此應(yīng)用程序報(bào)告解釋了這些硬件抽象層的實(shí)現(xiàn)，并將其與傳統(tǒng)的“定義宏”進(jìn)行了比較。此外，還討論了代碼效率和特殊情況寄存器的問(wèn)題。應(yīng)用程序報(bào)告中討論的位字段和登記文件結(jié)構(gòu)硬件抽象層已被實(shí)現(xiàn)為C2000 C++中的C/C++頭文件的集合。? 來(lái)自德州儀器：對(duì)所有新微控制器的支持可在C2000Ware的設(shè)備支持部分獲得。目前，它支持并是以下設(shè)備的首選方法：?Piccolo? 系列微控制器?德?tīng)柗浦Z? 系列微控制器?F28M3x系列微控制器（C28x子系統(tǒng)）