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SDRAM存儲器工作原理和時序的詳細介紹

2020-12-18 | rar | 1.33 MB | 次下載 | 免費

資料介紹

  一、 SDRAM內存模組與基本結構

  我們平時看到的SDRAM都是以模組形式出現,為什么要做成這種形式呢?這首先要接觸到兩個概念:物理Bank與芯片位寬。

  1、 物理Bank

  傳統(tǒng)內存系統(tǒng)為了保證CPU的正常工作,必須一次傳輸完CPU在一個傳輸周期內所需要的數據。而CPU在一個傳輸周期能接受的數 據容量就是CPU數據總線的位寬,單位是bit(位)。當時控制內存與CPU之間數據交換的北橋芯片也因此將內存總線的數據位寬 等同于CPU數據總線的位寬,而這個位寬就稱之為物理Bank(Physical Bank,下文簡稱P-Bank)的位寬。所以,那時的內存必須要組織成P-Bank來與CPU打交道。資格稍老的玩家應該還記 得Pentium剛上市時,需要兩條72pin的SIMM才能啟動,因為一條72pin -SIMM只能提供32bit的位寬,不能滿足Pentium的64bit數據總線的需要。直到168pin-SDRAM DIMM上市后,才可以使用一條內存開機。

  不過要強調一點,P-Bank是SDRAM及以前傳統(tǒng)內存家族的特有概念,RDRAM中將以通道(Channel)取代,而對 于像Intel E7500那樣的并發(fā)式多通道DDR系統(tǒng),傳統(tǒng)的P-Bank概念也不適用。

  2、 芯片位寬 上文已經講到SDRAM內存系統(tǒng)必須要組成一個P-Bank的位寬,才能使CPU正常工作,那么這個P-Bank位寬怎么得到呢 ?這就涉及到了內存芯片的結構。 每個內存芯片也有自己的位寬,即每個傳輸周期能提供的數據量。理論上,完全可以做出一個位寬為64bit的芯片來滿足P-Ban k的需要,但這對技術的要求很高,在成本和實用性方面也都處于劣勢。所以芯片的位寬一般都較小。臺式機市場所用的SDRAM芯片 位寬最高也就是16bit,常見的則是8bit。這樣,為了組成P-Bank所需的位寬,就需要多顆芯片并聯工作。對于16bi t芯片,需要4顆(4×16bit=64bit)。對于8bit芯片,則就需要8顆了。

  以上就是芯片位寬、芯片數量與P-Bank的關系。P-Bank其實就是一組內存芯片的集合,這個集合的容量不限,但這個集合的 總位寬必須與CPU數據位寬相符。隨著計算機應用的發(fā)展,

  一個系統(tǒng)只有一個P-Bank已經不能滿足容量的需要。所以,芯片組開 始可以支持多個P-Bank,一次選擇一個P-Bank工作,這就有了芯片組支持多少(物理)Bank的說法。而在Intel的 定義中,則稱P-Bank為行(Row),比如845G芯片組支持4個行,也就是說它支持4個P-Bank。另外,在一些文檔中 ,也把P-Bank稱為Rank(列)。

  回到開頭的話題,DIMM是SDRAM集合形式的最終體現,每個DIMM至少包含一個P-Bank的芯片集合。在目前的DIMM 標準中,每個模組最多可以包含兩個P-Bank的內存芯片集合,雖然理論上完全可以在一個DIMM上支持多個P-Bank,比如 SDRAM DIMM就有4個芯片選擇信號,理論上可以控制4個P-Bank的芯片集合。只是由于某種原因而沒有這么去做。比如設計難度、 制造成本、芯片組的配合等。至于DIMM的面數與P-Bank數量的關系,在2001年2月的專題中已經明確了,面數≠P-Ba nk數,只有在知道芯片位寬的情況下,才能確定P-Bank的數量,大度256MB內存就是明顯一例,而這種情況在Regist ered模組中非常普遍。有關內存模組的設計,將在后面的相關章節(jié)中繼續(xù)探討。

  二、 SDRAM內存芯片的內部結構 1、邏輯Bank與芯片位寬 講完SDRAM的外在形式,就該深入了解SDRAM的內部結構了。這里主要的概念就是邏輯Bank。簡單地說,SDRAM的內部 是一個存儲陣列。因為如果是管道式存儲(就如排隊買票),就很難做到隨機訪問了。 陣列就如同表格一樣,將數據“填”進去,你可以它想象成一張表格。和表格的檢索原理一樣,先指定一個行(Row),再指定一個列 (Column),我們就可以準確地找到所需要的單元格,這就是內存芯片尋址的基本原理。對于內存,這個單元格可稱為存儲單元, 那么這個表格(存儲陣列)叫什么呢?它就是邏輯Bank(Logical Bank,下文簡稱L-Bank)。

  由于技術、成本等原因,不可能只做一個全容量的L-Bank,而且最重要的是,由于SDRAM的工作原理限制,單一的L-Ban k將會造成非常嚴重的尋址沖突,大幅降低內存效率(在后文中將詳細講述)。所以人們在SDRAM內部分割成多個L-Bank,較 早以前是兩個,目前基本都是4個,這也是SDRAM規(guī)范中的最高L-Bank數量。到了RDRAM則最多達到了32個,在最新DDR-Ⅱ的標準中,L-Bank的數量也提高到了8個。

  這樣,在進行尋址時就要先確定是哪個L-Bank,然后再在這個選定的L-Bank中選擇相應的行與列進行尋址??梢妼却娴脑L 問,一次只能是一個L-Bank工作,而每次與北橋交換的數據就是L-Bank存儲陣列中一個“存儲單元”的容量。在某些廠商的 表述中,將L-Bank中的存儲單元稱為Word(此處代表位的集合而不是字節(jié)的集合)。從前文可知,SDRAM內存芯片一次傳輸率的數據量就是芯片位寬,那么這個存儲單元的容量就是芯片的位寬(也是L-Bank的位 寬),但要注意,這種關系也僅對SDRAM有效,原因將在下文中說明。

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