難點(diǎn)

　　存儲(chǔ)器擴(kuò)展的編址技術(shù)

　　系統(tǒng)總線的構(gòu)成

　　程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展

　　要求

　　掌握：

　　存儲(chǔ)器擴(kuò)展的編址技術(shù)

　　系統(tǒng)總線的擴(kuò)展形成

　　擴(kuò)展存儲(chǔ)器與單片機(jī)的應(yīng)用連接

　　了解：

　　存儲(chǔ)器的分類

　　存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)

　　訪問(wèn)外部程序、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的時(shí)序過(guò)程

　　1存儲(chǔ)器系統(tǒng)基本知識(shí)

　　1.1存儲(chǔ)器的分類

　　按照存儲(chǔ)介質(zhì)不同，可以將存儲(chǔ)器分為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁存儲(chǔ)器、激光存儲(chǔ)器。

　　這里我們只討論構(gòu)成內(nèi)存的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。

　　按照存儲(chǔ)器的存取功能不同，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為只讀存儲(chǔ)器（ReadOnlyMemory簡(jiǎn)稱ROM）和隨機(jī)存儲(chǔ)器（Random Access Memory簡(jiǎn)稱RAM）

　　1.只讀存儲(chǔ)器（ROM）

　　ROM的特點(diǎn)是把信息寫(xiě)入存儲(chǔ)器以后，能長(zhǎng)期保存，不會(huì)因電源斷電而丟失信息。計(jì)算機(jī)在運(yùn)行過(guò)程中，只能讀出只讀存儲(chǔ)器中的信息，不能再寫(xiě)入信息。一般地，只讀存儲(chǔ)器用來(lái)存放固定的程序和數(shù)據(jù)，如微機(jī)的監(jiān)控程序、匯編程序、用戶程序、數(shù)據(jù)表格等。根據(jù)編程方式的不同，ROM 共分為以下5種：

　　（1）掩模工藝ROM

　　這種ROM是芯片制造廠根據(jù)ROM要存貯的信息，設(shè)計(jì)固定的半導(dǎo)體掩模版進(jìn)行生產(chǎn)的。一旦制出成品之后，其存貯的信息即可讀出使用，但不能改變。這種ROM常用于批量生產(chǎn)，生產(chǎn)成本比較低。微型機(jī)中-些固定不變的程序或數(shù)據(jù)常采用這種ROM存貯。

　?。?）可一次性編 程ROM （PROM）

　　為了使用戶能夠根據(jù)自己的需要來(lái)寫(xiě)ROM，廠家生產(chǎn)了一種PROM。允許用戶對(duì)其進(jìn)行一次編程一寫(xiě)入 數(shù)據(jù)或程序。旦編程之后， 信息就永久性地固定下來(lái)。用戶可以讀出和使用，但再也無(wú)法改變其內(nèi)容。

　?。?）紫外線擦除可改寫(xiě)ROM （ EPROM）

　　可改寫(xiě)ROM芯片的內(nèi)容也由用戶寫(xiě)入，但允許反復(fù)擦除重新寫(xiě)入。EPROM 是用電信號(hào)編程而用紫外線擦除的只讀存儲(chǔ)器芯片。在芯片外殼上方的中央有-一個(gè)圓形窗口，通過(guò)這個(gè)窗口照射紫外線就可以擦除原有的信息。由于陽(yáng)光中有紫外線的成分，所以程序?qū)懞煤笠貌煌该鞯?a target='_blank' class='arckwlink_none'>標(biāo)簽封窗口，以避免因陽(yáng)光照射而破壞程序。EPROM 的典型芯片是In:el公司的27系列產(chǎn)品，按存儲(chǔ)容量不同有多種型號(hào)，例如2716 （2KBx8） .2732 （4KBx8）、2764 （8K3x8）、27128 （I6KBx8）、27256 （32KBx8）等，型號(hào)名稱后的數(shù)字表示其存儲(chǔ)容量。

　?。?）電擦除可改寫(xiě)ROM （EEPROM或EPROM）

　　這是一種用電信號(hào)編程也用電信號(hào)擦除的ROM芯片，它可以通過(guò)讀寫(xiě)操作進(jìn)行逐個(gè)存儲(chǔ)單元讀出和寫(xiě)入，且讀寫(xiě)操作與RAM存儲(chǔ)器幾乎沒(méi)有什么差別，所不同的只是寫(xiě)入速度慢些。但斷電后卻能保存信息。典型EPROM芯片有28C16、28C17、 2817A等。

　?。?）快擦寫(xiě)ROM （flash ROM）

　　EPROM雖然具有既可讀又可寫(xiě)的特點(diǎn)，但寫(xiě)入的速度較慢，使用起來(lái)不太方便。而flashROM是在EPROM和EPROM的基 礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種只讀存儲(chǔ)器，讀寫(xiě)速度都很快，存取時(shí)間可達(dá)70ns，存儲(chǔ)容量可達(dá)16MB~128MB。這種芯片可改寫(xiě)次數(shù)可從1萬(wàn)次到100萬(wàn)次。典型flash ROM芯片有28F256、28F516、 AT89等。