半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類、組成結(jié)構(gòu)和工作原理及其應(yīng)用的資料概述
資料介紹
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是數(shù)字系統(tǒng)特別是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的重要組成,分為RAM和ROM兩大類。學(xué)習(xí)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的組成結(jié)構(gòu)、工作原理及其應(yīng)用。
一、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的功能:存儲(chǔ)大量二值信息的半導(dǎo)體器件。
二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能:存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)速度。
三、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類
方式分類:只讀存儲(chǔ)器ROM (Read-Only Memory)和隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM (Random Access Memory)
只讀存儲(chǔ)器ROM:電路結(jié)構(gòu)簡單、斷電數(shù)據(jù)不消失、不能快速隨時(shí)修改數(shù)據(jù)。適用于存儲(chǔ)固定數(shù)據(jù)的場合。(非易失性)
隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM:可隨時(shí)快速修改數(shù)據(jù),高集成度。有SRAM、DRAM。(易失性)
工藝分類:雙極型和MOS型,后者為主。
四、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展趨勢
1.大容量存儲(chǔ)器
遵循莫爾定理:每18個(gè)月集成度提高一倍。
已有16Gb的DRAM芯片。
2.高速存儲(chǔ)器
一般將訪問時(shí)間小于35ns的存儲(chǔ)器視為高速存儲(chǔ)器。
目前研制水平可使SRAM訪問時(shí)間達(dá)到1ns。
3.低電壓、低功耗存儲(chǔ)器
多數(shù)低壓存儲(chǔ)器采用3~3.3V工作電壓。
目前已有1V工作電壓的SRAM。
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