資料介紹
雙面拋光已成為硅晶片的主要后續(xù)加工方法,但由于需要嚴格的加工條件,很難獲得理想
的超光滑表面。設(shè)計了硅片雙面拋光加工工藝新路線,并在新研制的雙面拋光機上對硅晶片進行拋光加
工,實驗研究了不同加工參數(shù)對桂晶片表面粗糙度和材料去除率的影響。采用掃描探針顯微鏡和激光數(shù)
字波面干涉儀分別對加工后的硅晶片進行測量,實驗結(jié)果表明:在優(yōu)化實驗條件下硅晶片可以獲得表面
粗糙度0.533nm 的超光滑表面。
的超光滑表面。設(shè)計了硅片雙面拋光加工工藝新路線,并在新研制的雙面拋光機上對硅晶片進行拋光加
工,實驗研究了不同加工參數(shù)對桂晶片表面粗糙度和材料去除率的影響。采用掃描探針顯微鏡和激光數(shù)
字波面干涉儀分別對加工后的硅晶片進行測量,實驗結(jié)果表明:在優(yōu)化實驗條件下硅晶片可以獲得表面
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