這是一個應(yīng)用說明，專用于英飛凌的2500瓦圖騰桿全橋功率因數(shù)校正（PFC）演示板，包括CoolGantm E模式HEMTS、CoolMostm SJ MOSFET和ICE3 PFC控制器，以及1EDI高壓MOSFET驅(qū)動程序。

　　這個演示板展示了一個高效的PFC階段，它利用Infineon的CoolGantm技術(shù)的優(yōu)勢，將系統(tǒng)效率提高到99%以上，用于服務(wù)器或電信整流器等效率關(guān)鍵的應(yīng)用。

　　增強模式（E模式）氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的一個獨特優(yōu)勢是完全沒有任何反向恢復(fù)電荷，GaN是一種寬帶隙（WBG）材料。因此，這項技術(shù)使功率級的新拓撲成為可能，而目前的高壓超結(jié)（SJ）功率半導(dǎo)體無法解決這一問題?；谶@些特性，圖騰柱pfc拓撲是利用Infineon的CoolGantm技術(shù)優(yōu)勢的完美匹配。

　　我們的演示板顯示了高達2500瓦的可靠運行，基準效率為99.2%。要實現(xiàn)這一點，只需要兩個分立的70 MΩCoolGantm開關(guān)和兩個分立的33 MΩ650 V CoolMostm C7金開關(guān)。所有的動力部件都是表面安裝設(shè)備（SMD），能夠?qū)崿F(xiàn)更快、更便宜的組裝過程。該控制采用英飛凌標準的ICE3連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）控制芯片實現(xiàn)。PWM開關(guān)頻率設(shè)置為65 kHz。

　　這個演示板展示了一個高效的PFC階段，它利用Infineon的CoolGantm技術(shù)的優(yōu)勢，將系統(tǒng)效率提高到99%以上，用于服務(wù)器或電信整流器等效率關(guān)鍵的應(yīng)用。

　　增強模式（E模式）氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的一個獨特優(yōu)勢是完全沒有任何反向恢復(fù)電荷，GaN是一種寬帶隙（WBG）材料。因此，這項技術(shù)使功率級的新拓撲成為可能，而目前的高壓超結(jié)（SJ）功率半導(dǎo)體無法解決這一問題。基于這些特性，圖騰柱pfc拓撲是利用Infineon的CoolGantm技術(shù)優(yōu)勢的完美匹配。

　　我們的演示板顯示了高達2500瓦的可靠運行，基準效率為99.2%。要實現(xiàn)這一點，只需要兩個分立的70 MΩCoolGantm開關(guān)和兩個分立的33 MΩ650 V CoolMostm C7金開關(guān)。所有的動力部件都是表面安裝設(shè)備（SMD），能夠?qū)崿F(xiàn)更快、更便宜的組裝過程。該控制采用英飛凌標準的ICE3連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）控制芯片實現(xiàn)。PWM開關(guān)頻率設(shè)置為65 kHz。