隨著智能手機(jī)屏幕、電池容量的增大，加上智能手機(jī)內(nèi)部功能組件的增多，PCB 區(qū)域已成為移動(dòng)終端內(nèi)部寸土寸金的競(jìng)爭(zhēng)地帶，他們都在擠壓著射頻前端的物理空間，加上移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，對(duì)于射頻前端的設(shè)計(jì)復(fù)雜程度和技術(shù)難度帶來(lái)了極大的挑戰(zhàn)。研究機(jī)構(gòu) Yole Developpement 最新的報(bào)告指出，隨著 5G 技術(shù)日益成熟，未來(lái)射頻功率放大器（RF PA）市場(chǎng)將出現(xiàn)顯著成長(zhǎng)，但傳統(tǒng)的 LDMOS 制程將逐漸被新興的氮化鎵 （GaN）取代，砷化鎵（GaAs）的市場(chǎng)占比則相對(duì)穩(wěn)定。

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　　Yole 預(yù)計(jì)，電信基地臺(tái)設(shè)備升級(jí)與小型基地臺(tái)的廣泛布建，將是推動(dòng) RF PA 市場(chǎng)規(guī)模成長(zhǎng)最主要的動(dòng)力來(lái)源。 2016 年全球 RF PA 市場(chǎng)規(guī)模約為 15 億美元，到 2022 年時(shí)，市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 25 億美元，復(fù)合年增率（CAGR）為 9.8%。 不過(guò)，由于導(dǎo)入新的射頻技術(shù)，并且使用更高的通訊頻段，因此 RF PA 必須使用新的制程技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。展望未來(lái)，采用 GaN 制程的 RF PA 將成為輸出功率 3W 以上的 RF PA 所采用的主流制程技術(shù)，LDMOS 制程的市場(chǎng)份額則會(huì)明顯萎縮。 5G 下的射頻前端無(wú)線移動(dòng)通信在 20 多年里得到了飛速的發(fā)展，給人們的生活、學(xué)習(xí)和工作方式以及政治、經(jīng)濟(jì)、社會(huì)等各方面都帶來(lái)了巨大的影響。自 2012 年初 WRC-12 上 ITU 通過(guò)了 4G 標(biāo)準(zhǔn)之后，通信業(yè)界開(kāi)始研究 5G。各國(guó)成立了專門組織推進(jìn) 5G 研究，爭(zhēng)搶新一輪技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的影響力和制高點(diǎn)。例如，歐盟啟動(dòng)了 METIS、5GNOW 等多個(gè) 5G 預(yù)研項(xiàng)目，并成立了 5GPPP；韓國(guó)成立了 5G Forum 等；