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深圳市宏源世紀科技有限公司

主要銷售觸摸芯片,DC-DC電源,微控制器單片機,存儲器,MOS場效應管,LED驅(qū)動產(chǎn)品。

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WINBOND/華邦 W631GG6KB-15 FBGA96 DDR SDRAM存儲器

型號: W631GG6KB-15

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 W631GG6KB-15
  • 數(shù)量 3320
  • 封裝 FBGA96
  • 品牌 WINBOND/華邦
  • 批次 最新批次

--- 產(chǎn)品詳情 ---

1.概述W631GG6KB是一個1G位DDR3 SDRAM,組織為8388608個字? 8個銀行? 16位。該器件實現(xiàn)了高達1866 Mb/sec/引腳(DDR3-1866)的高速傳輸速率,適用于各種應用。W631GG6KB分為以下速度等級:-11、11I、-12、12I、12J、-15、15I和15J。-11和11I速度等級符合DDR3-1866(13-13-13)規(guī)范(11I工業(yè)等級保證支持-40°C≤TCASE≤95°C)。-12、12I和12J速度等級符合DDR3-1600(11-11-11)規(guī)范(12I工業(yè)等級保證支持-40°C≤TCASE≤95°C,12J工業(yè)+等級保證支持-40C≤TCASE≤105°C)。-15、15I和15J速度等級符合DDR3-1333(9-9-9)規(guī)范(15I工業(yè)等級保證支持-40°C≤TCASE≤95°C,15J工業(yè)+等級保證支持-40C≤TCASE≤105°C)。W631GG6KB的設計符合以下關鍵DDR3 SDRAM功能,如支持的CAS#、可編程的CAS#寫入延遲(CWL)、ZQ校準、片上終止和同步重置。所有的控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時鐘同步。輸入被鎖存在差分時鐘的交叉點(CK上升和CK#下降)。所有I/O都與源同步刷新中的差分DQS-DQS#對同步


2.特點? 電源:VDD,VDDQ=1.5V±0.075V? 雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu):每個時鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸? 八家內(nèi)部銀行同時運營? 8位預取架構(gòu)? CAS延遲:6、7、8、9、10、11和13? 突發(fā)長度8(BL8)和突發(fā)斬波4(BC4)模式:通過模式寄存器(MRS)固定或可選擇OnThe-Fly(OTF)? 可編程讀突發(fā)排序:交錯或半字節(jié)順序? 雙向差分數(shù)據(jù)選通(DQS和DQS#)與數(shù)據(jù)一起發(fā)送/接收? 邊緣與讀取數(shù)據(jù)對齊,中心與寫入數(shù)據(jù)對齊? DLL將DQ和DQS轉(zhuǎn)換與時鐘對齊? 差分時鐘輸入(CK和CK#)? 在每個正CK邊緣、數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)掩碼上輸入的命令都參考差分數(shù)據(jù)選通對的兩個邊緣(雙倍數(shù)據(jù)速率)? 發(fā)布具有可編程附加延遲(AL=0、CL-1和CL-2)的CAS,以提高命令、地址和數(shù)據(jù)總線效率? 讀取延遲=加性延遲加CAS延遲(RL=AL+CL)? 讀取和寫入突發(fā)的自動預充電操作? 刷新、自刷新、自動自刷新(ASR)和部分陣列自刷新(PASR)? 預充電斷電和主動斷電? 寫入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)掩碼(DM)

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