UnitedSiC / Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC常開(kāi)JFET
UnitedSiC/Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC常開(kāi)JFET具有超低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG），可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通及開(kāi)關(guān)損耗。此JFET在VGS = 0V時(shí)的低RDS(ON) 值非常適合電流保護(hù)電路，無(wú)需主動(dòng)控制和共源共柵操作。UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC常開(kāi)JFET具有低柵極電荷和低本征電容。該FET的工作溫度范圍為-55°C至+175°C，采用D2PAK-7L封裝，符合RoHS指令，無(wú)鹵素且無(wú)鉛。典型應(yīng)用包括過(guò)流保護(hù)電路、直流-交流逆變器、開(kāi)關(guān)模式電源、功率因數(shù)校正模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和感應(yīng)加熱。
UF3N170400B7S特性
電壓控制設(shè)備
極快的切換速度不依賴于溫度
低柵極電荷
低本征電容
D2PAK-7L封裝
符合RoHS指令
無(wú)鹵素且無(wú)鉛
UF3N170400B7S應(yīng)用
過(guò)流保護(hù)電路
直流-交流逆變器
開(kāi)關(guān)模式電源
功率因數(shù)校正模塊
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
感應(yīng)加熱
規(guī)范
工作溫度范圍：-55°C至+175°C
最高結(jié)溫：175°C
漏極-源極電壓：1700V
耗散功率：68W
回流焊接溫度：+245°C
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 工作溫度 85
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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