**NTB75N03-06T4G-VB**

**絲?。?* VBL1303  
**品牌：** VBsemi  
**參數(shù)：** TO263；N—Channel溝道, 30V；170A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V；Vth=1.7V  

**封裝：** TO263  

**詳細(xì)參數(shù)說明：**  
- **溝道類型：** N—Channel  
- **最大承受電壓：** 30V  
- **最大電流：** 170A  
- **導(dǎo)通電阻：** 3mΩ（在VGS=10V時），3mΩ（在VGS=20V時）  
- **閾值電壓：** 1.7V  

**應(yīng)用簡介：**  
該器件為 N—Channel 溝道的 MOSFET，適用于需要控制正向電流的高功率模塊。可用于功率放大、電源開關(guān)和電流調(diào)節(jié)等高電流應(yīng)用。

**作用：**  
- 控制正向電流，適用于高功率模塊。
- 在功率放大和電源開關(guān)電路中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

**使用領(lǐng)域模塊：**
1. **功率放大模塊：** 用于構(gòu)建高功率的放大電路，適用于音頻放大器等應(yīng)用。
2. **電源開關(guān)模塊：** 在需要高電流開關(guān)的電源系統(tǒng)中使用，確?？煽康碾娫撮_關(guān)。
3. **電流調(diào)節(jié)模塊：** 用于高電流應(yīng)用，確保系統(tǒng)正常運行。

**使用注意事項：**
1. **電壓和電流限制：** 不要超過規(guī)定的最大電壓和電流。
2. **溫度控制：** 注意器件工作時的溫度，避免過熱。
3. **適當(dāng)?shù)纳幔?* 對于高功率應(yīng)用，確保提供足夠的散熱。

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