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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR3418TRPBF-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析

型號: IRFR3418TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**IRFR3418TRPBF-VB**

**絲印:** VBE1806  
**品牌:** VBsemi  
**參數(shù):** TO252;N—Channel溝道, 80V;110A;RDS(ON)=5.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=2.89V  

**封裝:** TO252  

**詳細參數(shù)說明:**  
- **溝道類型:** N—Channel  
- **最大承受電壓:** 80V  
- **最大電流:** 110A  
- **導通電阻:** 5.5mΩ(在VGS=10V時),4mΩ(在VGS=20V時)  
- **閾值電壓:** 2.89V  

**應用簡介:**  
該器件適用于需要高電壓和大電流處理的模塊,提供可靠的 N 溝道功率開關功能。主要應用領域包括但不限于功率放大器、開關電源、電機驅動器等。

**作用:**  
- 提供高效的 N 溝道功率開關功能。
- 適用于需要高電流和高頻率操作的應用。

**使用領域模塊:**
1. **功率放大器模塊:** 在音頻和射頻放大器中,可用于提供高效的功率放大。
2. **開關電源模塊:** 用于構建高效的開關電源,穩(wěn)定輸出電壓。
3. **電機驅動器模塊:** 適用于驅動電機,提供可靠的功率開關控制。

**使用注意事項:**
1. **電壓和電流限制:** 不要超過規(guī)定的最大電壓和電流。
2. **散熱:** 在高功率應用中,確保有效的散熱以防止過熱。
3. **靜電防護:** 在處理和安裝時采取防靜電措施,以免損壞器件。

如有需要進一步了解或有其他問題,請告訴我。

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