服務(wù)內(nèi)容
廣電計量功率循環(huán)測試通過負載電流加熱和開關(guān)斷動作，來模擬器件工作中的結(jié)溫波動，通過一定程度的加速老化，以提前暴露器件封裝的薄弱點，評估封裝材料的熱膨脹系數(shù)差異對器件壽命的影響，是考核功率器件封裝可靠性最重要的可靠性測試，也是進行器件壽命模型建立和壽命評估的根本。
服務(wù)范圍
車規(guī)級功率器件模塊及基于分立器件的等效特殊設(shè)計產(chǎn)品。
檢測標(biāo)準(zhǔn)
● DINENISO/IEC17025：General Requirements for the Competenceof Testing and Calibration Laboratories
● IEC 60747系列：Semiconductor Devices, Discrete Devices
● IEC 60749系列：Semiconductor Devices ? Mechanical and Climatic Test Methods
● DIN EN 60664系列：Insulation Coordination for Equipment Within Low-Voltage Systems
● DIN EN 60069系列：Environmental testing
● JESD22-A119:2009：Low Temperature Storage Life
檢測項目
根據(jù)負載電流加熱的時長不同，功率循環(huán)測試分為秒級功率循環(huán)（PCsec）， 分鐘級功率循環(huán)（PCmin），如電力電子模塊AQG324測試標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，不同的負載電流加熱時長，考察的封裝體對象也不同。如下表：
測試項目 | 加熱時長 | 考察對象 |
秒級功率循環(huán)（PCsec） | Ton＜5s | 靠近芯片附近的互連層 |
分鐘級功率循環(huán)（PCmin） | Ton＞15s | 離芯片互連較遠的互連層 |
相關(guān)資質(zhì)
CNAS
測試周期
常規(guī)5-7個工作日
服務(wù)背景
功率循環(huán)測試被稱為考核功率器件封裝可靠性最重要的實驗，尤其是 SiC MOSFET 功率器件的快速發(fā)展，是近幾年的研究熱點。與其他可靠性測試不同的是，功率循環(huán)測試原理雖然簡單，但測試技術(shù)、測試方法和數(shù)據(jù)處理卻涉及到半導(dǎo)體物理、電磁學(xué)、傳熱學(xué)、結(jié)構(gòu)力學(xué)和信號分析等多學(xué)科交叉，處理不當(dāng)將得到錯誤的結(jié)論。
我們的優(yōu)勢
廣電計量在Si基功率半導(dǎo)體模塊、SiC模塊等相關(guān)測試有著豐富的實戰(zhàn)經(jīng)驗，是SiC領(lǐng)域是國內(nèi)技術(shù)能力最全面、知名度最廣的第三方檢測機構(gòu)之一，為眾多半導(dǎo)體廠家提供模塊的規(guī)格書參數(shù)測試、競品分析、環(huán)境可靠性、壽命耐久和失效分析等一站式測試服務(wù)。
在功率循環(huán)測試方向，廣電計量引進多臺西門子功率循環(huán)測試機臺Power Tester1800A/1500A，同時還有部分國產(chǎn)高可靠性功率循環(huán)測試機臺，能提供水冷/水乙二醇混合冷卻/油冷等冷卻方式，并且滿足20℃~125℃的底溫要求，產(chǎn)能充足。
手法，可以協(xié)助廠家進行AQG324的認證檢測；擁有經(jīng)驗豐富的材料及電性能可靠性專家，可以針對功率半導(dǎo)體進行全方位的失效分析及可靠性驗證方案的設(shè)計與執(zhí)行。
