型號 STD10NF10T4絲印 VBE1101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 18A 導(dǎo)通電阻 115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.6Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡介 STD10NF10T4是一款N溝道MOSFET，適用于高電壓和大電流的應(yīng)用。其最大耐壓為100V，最大電流為18A，具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于高壓電源開關(guān)和DCDC變換器等。2. 電機(jī)驅(qū)動模塊 可用于驅(qū)動大功率電機(jī)和機(jī)器人控制系統(tǒng)。3. 高壓負(fù)載開關(guān)模塊 適用于高壓負(fù)載開關(guān)和電源控制器?？傊琒TD10NF10T4適用于高電壓和大電流應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，包括電源管理、電機(jī)驅(qū)動和高壓負(fù)載開關(guān)模塊等。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 最大耐壓 100V
- 最大電流 18A
- 導(dǎo)通電阻 115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V
- 門閾電壓 1.6Vth
- 封裝 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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