型號 SI3911DVT1GE3絲印 VB4290品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 2個P溝道MOSFET 最大耐壓 20V 最大電流 4A 導通電阻 75mΩ @4.5V, 100mΩ @2.5V 門源電壓 12Vgs (±V) 門閾電壓 1.2~2.2Vth 封裝 SOT236應用簡介 SI3911DVT1GE3是一款具有兩個P溝道MOSFET的器件，適用于需要同時控制多個P溝道MOSFET的應用。其最大耐壓為20V，最大電流為4A，具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于負責電源開關和負載開關控制的電源管理模塊。2. 高壓負載開關模塊 適用于高壓負載開關和電源控制。3. 電動工具 可用于電動工具中的負極電源控制和負載開關。總之，SI3911DVT1GE3適用于需要同時控制多個P溝道MOSFET的高功率應用領域的模塊設計，包括電源管理、高壓負載開關模塊和電動工具等。
--- 產品參數(shù) ---
- 類型 2個P溝道
- 最大耐壓 20V
- 最大電流 4A
- 導通電阻 75mΩ @4.5V, 100mΩ @2.5V
- 門源電壓 12Vgs (±V)
- 門閾電壓 1.2~2.2Vth
- 封裝 SOT236
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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