DMG1012T (VBTA1220N)參數(shù)說明：N溝道，20V，1A，導(dǎo)通電阻200mΩ@4.5V，230mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，閾值電壓0.6V，封裝：SC75-3。應(yīng)用簡(jiǎn)介：DMG1012T適用于低功率應(yīng)用，如信號(hào)開關(guān)和電流控制。其低導(dǎo)通電阻和小封裝有助于降低功率損耗和節(jié)省空間。適用領(lǐng)域與模塊：適用于低功率信號(hào)開關(guān)、電流控制和模擬開關(guān)等領(lǐng)域模塊，特別適合要求節(jié)省空間的場(chǎng)景。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 額定電壓 20V
- 額定電流 1A
- 導(dǎo)通電阻 200mΩ@4.5V，230mΩ@2.5V
- 封裝類型 SC75-3
- 閾值電壓 0.6V
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:26
產(chǎn)品型號(hào)：BUK661R9-40C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:23
產(chǎn)品型號(hào)：BUK661R8-30C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:20
產(chǎn)品型號(hào)：BUK661R6-30C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:16
產(chǎn)品型號(hào)：BUK6610-75C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:14
產(chǎn)品型號(hào)：BUK6607-55C-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
BUK654R8-40C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 16:56
產(chǎn)品型號(hào)：BUK654R8-40C-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N -
BUK654R6-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 16:51
產(chǎn)品型號(hào)：BUK654R6-55C-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N -
BUK654R0-75C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 16:50
產(chǎn)品型號(hào)：BUK654R0-75C-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N -
BUK653R7-30C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 16:47
產(chǎn)品型號(hào)：BUK653R7-30C-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N -
BUK653R5-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 16:35
產(chǎn)品型號(hào)：BUK653R5-55C-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N