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深圳市聚成恒信電子科技有限公司

致力于全面服務(wù)射頻微波,毫米微波客戶,將射頻微波,毫米微波原材料聚成恒信電子秉承長期合作拉近原廠與終端用戶的距離為促進三方共贏的良性合作關(guān)系

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KIT-CRD-HB12N-J1是一款模塊

型號: KIT-CRD-HB12N-J1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最大直流母線電壓 900 V
  • 封裝 N/A
  • 封裝 N/A

--- 產(chǎn)品詳情 ---

 該評估板的目的是演示在 7 引腳 D2PAK? 封裝中并聯(lián)兩個高性能 Wolfspeed 該評估板配置為半橋,但也可以配置為其他常見拓撲,例如同步升壓或同步降壓拓撲。該板的設(shè)計目的是讓用戶能夠輕松地:

  • 評估并聯(lián) SiC MOSFET 的動態(tài)和穩(wěn)態(tài)均流
  • 評估 SiC MOSFET 開關(guān)性能并表征 SiC MOSFET 中的 E ON和 E OFF損耗。
  • 評估同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中的 SiC MOSFET 熱性能。
  • 用作有效并聯(lián) SiC MOSFET 的 PCB 布局示例。
  • 用作 D2PAK SiC MOSFET 熱管理的參考

Wolfspeed 和 Keysight Technologies, Inc. 共同為此評估板開發(fā)了 PathWave 高級設(shè)計系統(tǒng) (ADS) 工作區(qū),使設(shè)計人員能夠?qū)υO(shè)計進行仿真,包括 PCB 布局的寄生效應(yīng)。該工作區(qū)演示了如何使用 ADS 平臺優(yōu)化 PCB 布局,以便比傳統(tǒng)原型測試設(shè)計周期更快、成本更低地并聯(lián)碳化硅 MOSFET。

規(guī)格

  • 最大直流母線電壓 900 V
  • 額定功率 10 kW @ 60 kHz(同步升壓操作 400 V-800 V)
  • 用于漏極電流、V GS和 V ds示波器探頭測量的優(yōu)化位置
  • 支持同步和異步降壓和升壓拓撲
  • 可使用兩個評估板配置為全橋 DC/DC


 

  • 工業(yè)電源
  • 服務(wù)器/電信
  • 電動汽車充電系統(tǒng)
  • 儲能系統(tǒng)(ESS)
  • 不間斷電源 (UPS)

包含什么

  • 完全組裝的評估板
  • 原理圖
  • PCB設(shè)計文件
  • 材料清單
  • 應(yīng)用說明

 

 

 

KIT-CRD-CIL17N-BM

KIT-CRD-CIL12N-BM

KIT-CRD-CIL12N-FMB

KIT-CRD-CIL12N-FMA

KIT-CRD-CIL12N-FMC

KIT-CRD-CIL12N-GMA

KIT-CRD-CIL17N-HM3

KIT-CRD-CIL12N-HM3

KIT-CRD-3DD12P

KIT-CRD-3DD065P

KIT-CRD-HB12N-J1

KIT-CRD-8FF90P

KIT-CRD-8FF65P

KIT-CRD-CIL17N-XM

KIT-CRD-CIL12N-XM3

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