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優(yōu)起辰電子

主要從事半導體、電子元器件、集成電路產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、通訊設備、機電設備、計算機軟硬件的技術開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易；經(jīng)營進出口業(yè)務。

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場效應晶體管STW12N120K5

型號： STW12N120K5
品牌： ST(意法)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 STW12N120K5
  • 品牌 ST意法半導體
  • 封裝 TO-247
  • 類型 N溝道
  • 漏源電壓(Vdss) 1.2KV
  • 連續(xù)漏極電流(Id) 12A
  • 導通電阻(RDS) 620mΩ
  • 閾值電壓(Vgs) 4V

--- 產(chǎn)品詳情 ---

制造商:   STMicroelectronics      

產(chǎn)品種類:      MOSFET 

RoHS:      Yes 

技術:      Si    

安裝風格:      Through Hole 

封裝 / 箱體: TO-247-3      

晶體管極性:   N-Channel    

通道數(shù)量:      1 Channel      

Vds-漏源極擊穿電壓:  1.2 kV     

Id-連續(xù)漏極電流:  12 A 

Rds On-漏源導通電阻: 690 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V       

Vgs th-柵源極閾值電壓:     3 V  

Qg-柵極電荷:       44.2 nC   

最小工作溫度:      - 55 C     

最大工作溫度:      + 150 C  

Pd-功率耗散: 250 W    

通道模式:      Enhancement 

商標名:   MDmesh 

系列:      STW12N120K5      

封裝:      Tube      

商標:      STMicroelectronics      

配置:      Single     

產(chǎn)品類型:      MOSFET 

包裝數(shù)量：600     

子類別:   MOSFETs       

單位重量:      6 g

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