美國 KRi 考夫曼離子源, 真空鍍膜離子源

型號： KDC 40

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

產(chǎn)地美國
類型考夫曼型離子源
品牌 KRi

--- 產(chǎn)品詳情 ---

因產(chǎn)品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準(zhǔn)

KRI 考夫曼離子源 KDC 40
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準(zhǔn)第三層?xùn)艠O. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術(shù)參數(shù)

* 可選: 可調(diào)角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

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