--- 產(chǎn)品詳情 ---
射頻前端電源管理 IC (PMIC)
Regulated outputs (#) | 5 |
Vin (Min) (V) | 2 |
Vin (Max) (V) | 5.5 |
Iout (Max) (A) | 2.5 |
Rating | Catalog |
LDO | 2 |
Iq (Typ) (mA) | 0.06 |
Features | Power Good, Power Sequencing |
Processor name | Tegra |
Processor supplier | NVIDIA |
Shutdown current (ISD) (Typ) (uA) | 55 |
Switching frequency (Typ) (kHz) | 2400 |
Configurability | Factory programmable, Software configurable |
- 3 個降壓轉換器:
- VIN 范圍從 2.8V 至 5.5V
- 輕負載電流狀態(tài)下的省電模式
- PWM 模式中的輸出電壓準確度為 ±2%
- 每個 DCDC1 和 DCDC2 轉換器的靜態(tài)電流典型值為 16μA
- DCDC3 轉換器的靜態(tài)電流典型值為 26μA
- 動態(tài)電壓調節(jié)
- 最低壓降占空比為 100%
- 2 個低壓降穩(wěn)壓器 (LDO):
- 2 x 10mA 輸出電流
- 低噪音 RF-LDO
- 輸出電壓范圍 1.2V 至 3.4V
- 32μA 靜態(tài)電流
- 獨立的電源輸入支持預調節(jié)
- ECO 模式
- LDO 的 VIN范圍:
- LDO1:2.0V 至 5.5V
- LDO2:2.8V 至 5.5V
- 2 個通用輸入輸出 (GPIO)
- 過熱保護
- 旁路開關
- 與為 RF-PA 供電的 DCDC3 一同使用
- 接口
- 26MHz 移動行業(yè)處理器接口 (MIPI) 射頻前端 (RFFE) 接口
- 欠壓閉鎖
- 靈活的加電和斷電排序
- 2.5mm x 2.3mm 晶圓級芯片封裝 (WCSP) 封裝,引線間距為 0.4mm
應用
- 數(shù)據(jù)卡
- 智能手機
TPS657120 提供 3 個輸出電流高達 2A 的可配置降壓轉換器。 它還包含 2 個 LDO 穩(wěn)壓器。 LDO1 可直接由輸入電壓或者由諸如 DCDC1 或 DCDC2 的一個預穩(wěn)壓電源供電。 到 LDO2 的輸入電壓可被用作一個模擬電源輸入,因此,需要將它連接至一個與 VINDCDC1/2 和 VINDCDC3 處于同一電壓電平的輸入電壓上。 內(nèi)部加電/斷電控制器是可配置的,并能夠支持任何加電/斷電序列(基于一次性可編程 (OTP))。 所有 LDO 和直流到直流轉換器由一個 MIPI RFFE 兼容接口和/或由引腳 PWRON,CLK_REQ1 和 CLK_REQ2 進行控制。 此外,還有一個 nRESET 以及一個 RFFE 地址選擇 (ADR_SELECT) 輸入,這兩個輸入中任何一個可被用作具有 1mA 電流吸收能力的通用 I/O。 TPS657120 采用 6 焊球 x 5 焊球的 WCSP 封裝 (2.5mm x 2.3mm),引線間距 0.4mm。
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