--- 產(chǎn)品詳情 ---
具有降壓穩(wěn)壓器的 102V(最大值)三相智能柵極驅(qū)動器
Rating | Catalog |
Architecture | Gate driver |
Control interface | 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM |
Gate drive (A) | 1 |
Vs (Min) (V) | 9 |
Vs ABS (Max) (V) | 102 |
Features | Buck Step Down Converter, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 9V 至 100V 三半橋柵極驅(qū)動器
- 可選的集成降壓穩(wěn)壓器
- 可選的三個低側(cè)電流分流放大器
- 智能柵極驅(qū)動架構(gòu)
- 可調(diào)轉(zhuǎn)換率控制,可實現(xiàn)優(yōu)異的 EMI 性能
- VGS 握手和最小死區(qū)時間插入,可避免發(fā)生擊穿
- 50mA 至 1A 峰值拉電流
- 100mA 至 2A 峰值灌電流
- 通過強(qiáng)下拉能力減小 dV/dt
- 集成柵極驅(qū)動器電源
- 高側(cè)倍增電荷泵可實現(xiàn) 100% PWM 占空比控制
- 低側(cè)線性穩(wěn)壓器
- 集成 LM5008A 降壓穩(wěn)壓器
- 6V 至 95V 工作電壓范圍
- 2.5V 至 75V、350mA 輸出能力
- 集成三個電流分流放大器
- 可調(diào)增益(5、10、20、40 V/V)
- 雙向或單向支持
- 6x、3x、1x 和獨立 PWM 模式
- 支持 120° 有傳感器運行
- 提供 SPI 或硬件接口
- 低功耗睡眠模式(VVM = 48V 時為 20μA)
- 集成式保護(hù) 特性
- VM 欠壓鎖定 (UVLO)
- 柵極驅(qū)動電源欠壓 (GDUV)
- MOSFET VDS 過流保護(hù) (OCP)
- MOSFET 擊穿保護(hù)
- 柵極驅(qū)動器故障 (GDF)
- 熱警告和熱關(guān)斷 (OTW/OTSD)
- 故障狀態(tài)指示器 (nFAULT)
DRV835x 系列器件均為高度集成的柵極驅(qū)動器,適用于三相無刷直流 (BLDC) 電機(jī) 應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。這些 應(yīng)用 包括 BLDC 電機(jī)的場定向控制 (FOC)、正弦電流控制和梯形電流控制。該器件型號提供了可選的集成式分流放大器以支持不同的電機(jī)控制方案,還提供了降壓穩(wěn)壓器,以為柵極驅(qū)動器或外部控制器供電。
DRV835x 通過采用智能柵極驅(qū)動 (SGD) 架構(gòu)減少了 MOSFET 壓擺率控制和保護(hù)電路通常所需要的外部組件數(shù)量。SGD 架構(gòu)還可優(yōu)化死區(qū)時間以防止擊穿問題,在通過 MOSFET 壓擺率控制技術(shù)降低電磁干擾 (EMI) 方面帶來了靈活性,并可通過 VGS 監(jiān)控器防止柵極短路問題。強(qiáng)大的柵極下拉電路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生柵極開啟事件。
該系列器件支持各種 PWM 控制模式(6x、3x、1x 和獨立模式),可簡化與外部控制器的連接。這些模式可減少電機(jī)驅(qū)動器 PWM 控制信號所需的控制器輸出數(shù)量。該系列器件還包括 1x PWM 模式,因此可通過內(nèi)部阻塞換向表輕松對 BLDC 電機(jī)進(jìn)行傳感器式梯形控制。
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