16MB 防輻射 SRAM
| Supply voltage (Min) (V) | 3 |
| Supply voltage (Max) (V) | 3.6 |
| Input type | Standard CMOS |
| Output type | 3-State |
| Clock Frequency (Max) (MHz) | 22 |
- 20ns 讀取，13.8ns 寫入（最大存取時間）
- 與商用
512K x 32 SRAM 器件功能兼容 - 內(nèi)置 EDAC（錯誤偵測和校正）以減輕軟錯誤
- 用于自主校正的內(nèi)置引擎
- CMOS 兼容輸入和輸出電平，3 態(tài)雙向數(shù)據(jù)總線
- 3.3 ± 0.3V I/O，1.8 ± 0.15V 內(nèi)核
- 輻射性能 放射耐受性是一個基于最初器件標(biāo)準(zhǔn)的典型值。 輻射數(shù)據(jù)和批量驗(yàn)收測試可用 - 細(xì)節(jié)請與廠家聯(lián)系。
- 設(shè)計(jì)使用基底工程和抗輻射 (HBD) 與硅空間技術(shù)公司 (SST) 許可協(xié)議下的 TM 技術(shù)和存儲器設(shè)計(jì)。
- TID 抗擾度 > 3e5 rad (Si)
- SER < 5e-17 翻轉(zhuǎn)/位-天
（使用 EDAC 和擦除的內(nèi)核） 使用 CREME96 來計(jì)算用于與地同步軌道，太陽安靜期的 SER。 - 閉鎖抗擾度 > LET = 110 MeV
(T = 398K)
- 采用 76 引線陶瓷方形扁平封裝
- 可提供工程評估 (/EM) 樣品 這些部件只用于工程評估。 它們的加工工藝為非兼容流程（例如，無預(yù)燒過程等），并且只在 25°C 的溫度額定值下進(jìn)行測試。 這些部件不適合于品質(zhì)檢定、生產(chǎn)、輻射測試或飛行使用。 不擔(dān)保完全軍用額定溫度
-55°C 至 125°C 范圍內(nèi)或使用壽命內(nèi)的部件性能。
SMV512K32 是一款高性能異步 CMOS SRAM，由 32 位 524,288 個字組成。 可在兩種模式：主控或受控間進(jìn)行引腳選擇。 主器件為用戶提供了定義的自主 EDAC 擦除選項(xiàng)。 從器件選擇采用按要求擦除特性，此特性可由一個主器件啟動。 根據(jù)用戶需要，可提供 3 個讀周期和 4 個寫周期（描述如下）。
