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深圳市粵華信科技有限公司

粵華信專為客戶提供高效穩(wěn)定的集成電路產(chǎn)品,以及高性價(jià)比的應(yīng)用解決方案和技術(shù)服務(wù)。代理分銷:芯茂微、上海貝嶺、華眾芯微、晶源微、德普微、啟臣微

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LP20R100FN TO220F 內(nèi)置MOS同步整流控制器芯片

型號(hào): LP20R100FN

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F

--- 產(chǎn)品詳情 ---

芯茂微一級(jí)代理--粵華信科技供應(yīng):LP20R100FN  TO220F   內(nèi)置MOS同步整流控制器芯片
LP20R100FN 為高性能的開(kāi)關(guān)電源 100V 同步整流系列產(chǎn)品,兼容多種開(kāi)關(guān)電源控制系統(tǒng)。
LP20R100FN支持 DCM、QR 以及 CCM 工作模式。
LP20R100FN 采用專利的整流管開(kāi)通判定技術(shù),可以有效的避免因激磁振蕩引起的驅(qū)動(dòng)芯片誤開(kāi)通。LP20R100FN 具有極快的關(guān)斷速度,可以大幅度降低在 CCM 工作條件下因關(guān)斷延遲造成的效率損失。
LP20R100FN集成 VCC 供電技術(shù)。啟動(dòng)當(dāng)系統(tǒng)上電后,通過(guò)內(nèi)置 MOS 的體二極管對(duì)輸出電容充電,輸出電壓上升。LP20R100FN 通過(guò) D腳連接輸出電壓,當(dāng)輸出電壓上升時(shí),經(jīng)過(guò)芯片內(nèi)部供電電路,給 VCC 充電,當(dāng) VCC 的電壓充到開(kāi)啟閾值電壓時(shí),芯片內(nèi)部控制電路開(kāi)始工作,MOS 正常的導(dǎo)通和關(guān)斷。MOS 正常的導(dǎo)通時(shí),電流不再?gòu)捏w二極管流過(guò),而從 MOS 的溝道流過(guò)。芯片正常工作時(shí),所需的工作電流仍然會(huì)通過(guò) D腳,給 VCC 供電。同步整流管導(dǎo)通DCM 工作時(shí),由于電感的激磁作用,當(dāng)初級(jí)芯片關(guān)斷時(shí),會(huì)產(chǎn)生振蕩。為了防止誤檢測(cè)振蕩信號(hào),導(dǎo)致同步整流管的異常開(kāi)啟,LP20R100FN 采用專利的整流管開(kāi)通技術(shù)。當(dāng)初級(jí)芯片關(guān)斷時(shí),次級(jí) LP20R100FN 的漏極 D與 GND 之間的電壓迅速下降PXX 通過(guò)檢測(cè)D和GND之間的下降電壓閾值和下降速率,能準(zhǔn)確的判斷同步整流管的開(kāi)啟。開(kāi)通條件:當(dāng)滿足 TOFF>TOFFMIN & dVDS/dt> K &dt>30ns&VDS同步最小導(dǎo)通時(shí)間(TONMIN)當(dāng)同步開(kāi)啟后,為了避免誤關(guān)斷同步整流。LP20R100FN 設(shè)置了最小導(dǎo)通時(shí)間TONMIN。同步導(dǎo)通階段同步導(dǎo)通時(shí),退磁電流減小,VDS 電壓上升;當(dāng)VDS 電壓高于-60mV 時(shí),會(huì)減小驅(qū)動(dòng)電壓,使得MOS 管的導(dǎo)通阻抗增大,維持VDS 的導(dǎo)通電壓-60mV;有利于同步關(guān)斷時(shí),由于驅(qū)動(dòng)電壓低,加快關(guān)斷速度。但為了兼顧效率,VGS 最小電壓限定3V。同步整流管關(guān)斷為了避免同步整流管導(dǎo)通時(shí),因激磁振蕩幅度較大,導(dǎo)致誤檢測(cè)關(guān)斷信號(hào),使同步整流管異常的關(guān)斷;LP20R100FN 通過(guò)整流管關(guān)斷電壓閾值,能準(zhǔn)確地判斷同步整流管的關(guān)斷。關(guān)斷條件:同步整流一旦開(kāi)通,在比較器屏蔽時(shí)間 TONMIN內(nèi)不進(jìn)行關(guān)斷動(dòng)作。當(dāng)開(kāi)通時(shí)間 Ton 超過(guò) TONMIN時(shí)間后,即 Ton>TONMIN& Vds >VOFF,關(guān)斷同步。同步最小關(guān)斷時(shí)間(TOFFMIN)當(dāng)同步超過(guò)關(guān)斷閾值(-5mV)關(guān)斷后,為了避免誤開(kāi)啟同步整流。LP20R100FN 設(shè)置了最小關(guān)斷時(shí)間 TOFFMIN。死區(qū)時(shí)間(TDEAD)LP20R100FN 有固定的死區(qū)時(shí)間,典型值600ns。保護(hù)功能LP20R100FN 集成了VCC 欠壓保護(hù),過(guò)壓鉗位等保護(hù)功能。PCB 設(shè)計(jì)在設(shè)計(jì) LP20R100FN PCB 時(shí),需要遵循以下指南:主功率回路走線要短粗。
LP20R100FN 采用 TO220F-3L 封裝。
特點(diǎn)
? 開(kāi)關(guān)電源同步整流應(yīng)用
? 兼容 DCM、QR 以及CCM工作模式
? 支持最高工作頻率200kHz? 內(nèi)置 100V 耐壓功率管
? 專利的整流管開(kāi)通技術(shù)? 集成 VCC 供電
? 芯片供電欠壓保護(hù)
? 芯片過(guò)壓鉗位
? 外圍元器件少
應(yīng)用
? 充電器和適配器
? 反激控制器
? 其他開(kāi)關(guān)電源控制系

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