--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 射頻帶寬 6~18GHZ
- 增益(dB 19
- 噪聲系數(shù)(dB 12
- 動(dòng)態(tài)范圍(dB 25
- P-1dB輸出(dB 18
- 輸出功率(dBm 20
--- 產(chǎn)品詳情 ---
CHA3513-99F 是一款由 United Monolithic Semiconductors (UMS) 生產(chǎn)的 3 位數(shù)字可變?cè)鲆娣糯笃鳎╒GA),專為高頻應(yīng)用設(shè)計(jì),適用于 6-18 GHz 的頻率范圍。
### 技術(shù)規(guī)格
- **頻率范圍**:6-18 GHz。
- **小信號(hào)增益**:19 dB。
- **噪聲系數(shù)**:12 dB。
- **動(dòng)態(tài)范圍**:25 dB。
- **1 dB 壓縮點(diǎn)輸出功率**:18 dBm。
- **飽和輸出功率**:20 dBm。
- **偏置條件**:
- 電源電壓:4.5 V。
- 漏極電流:300 mA。
- **封裝類型**:芯片形式。
- **芯片尺寸**:6.68 mm × 2.46 mm × 0.1 mm。
### 產(chǎn)品特點(diǎn)
- **集成設(shè)計(jì)**:包含三級(jí)數(shù)字衰減器和三級(jí)驅(qū)動(dòng)放大器。
- **高頻性能**:適用于 6-18 GHz 的寬帶應(yīng)用。
- **高動(dòng)態(tài)范圍**:25 dB 的動(dòng)態(tài)范圍,適合多種應(yīng)用場(chǎng)景。
- **簡(jiǎn)化裝配**:芯片背面同時(shí)射頻和直流接地,便于安裝。
- **制造工藝**:采用砷化鎵(GaAs)pHEMT 工藝,柵極長(zhǎng)度為 0.25 μm。
### 應(yīng)用場(chǎng)景
- **商業(yè)通信**:可用于高頻段的無(wú)線通信設(shè)備。
- **航空航天**:適用于需要高動(dòng)態(tài)范圍和高輸出功率的系統(tǒng)。
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