NPT1012B 是一款由 MACOM 生產(chǎn)的 GaN（氮化鎵）HEMT 射頻功率晶體管，專為高頻、高功率應(yīng)用而設(shè)計。以下是其詳細(xì)的技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用場景：
### 技術(shù)參數(shù)
- **頻率范圍**：DC 至 4 GHz。
- **輸出功率**：
- 在 3000 MHz 下，連續(xù)波（CW）輸出功率可達(dá) 25 W（43.98 dBm）。
- 在 1000 MHz 至 2500 MHz 頻段內(nèi)，P1dB 輸出功率為 16-20 W。
- **增益**：在 3000 MHz 下，增益為 13 dB。
- **效率**：
- 在 3000 MHz 下，漏極效率大于 45%。
- 在 1000 MHz 至 2500 MHz 頻段內(nèi)，漏極效率大于 50%。
- **工作電壓**：28 V。
- **封裝類型**：陶瓷螺紋沉放。
- **熱阻**：4.0 °C/W。
- **最大結(jié)溫**：200°C。
- **駐波比**：在所有相位和設(shè)備無損壞的情況下，最高可達(dá) 10:1。
### 應(yīng)用場景
- **國防通信**：適用于需要高功率和高效率的通信系統(tǒng)。
- **陸地移動無線電**：適用于需要高功率輸出的移動通信系統(tǒng)。
- **無線基礎(chǔ)設(shè)施**：用于無線基站等設(shè)備。
- **測試與測量**：用于高性能的測試設(shè)備。
- **ISM 應(yīng)用**：適用于工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療設(shè)備。
### 特性
- **寬帶優(yōu)化**：針對 DC 至 4000 MHz 的寬帶操作進(jìn)行優(yōu)化。
- **高效率**：在 3000 MHz 下，漏極效率為 45%，功率附加效率（PAE）為 53%。
- **高可靠性**：在所有相位和設(shè)備無損壞的情況下，最高可達(dá) 10:1 的電壓駐波比失配。
- **專有技術(shù)**：采用 SIGANTIC? NRF1 工藝，這是一種專有的 GaN-on-Silicon 技術(shù)。
