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深圳芯領(lǐng)航科技有限公司

宇航級(jí)和工業(yè)級(jí)電子元器件一站式芯片供應(yīng)商,產(chǎn)品運(yùn)用航空航天,衛(wèi)星通訊,工業(yè)通訊,醫(yī)療器械等,共同一芯,合作共贏

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AD774BARZ 一款12位逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC

型號(hào): AD774BARZ
品牌: ADI(ADI)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 工作溫度 -40℃ ~ 85℃
  • 耗散功率 825 W
  • 采樣率 125 ksps

--- 產(chǎn)品詳情 ---

這AD674B/AD774B 均為完整的 12 位逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置三態(tài)輸出緩沖電路,可直接與 8 位和 16 位微處理器總線接口。片內(nèi)包括一個(gè)高精度電壓基準(zhǔn)和時(shí)鐘,該電路只需要電源和控制信號(hào)即可工作。

 

AD674B 和 AD774B 與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) AD574A 引腳兼容,但轉(zhuǎn)換時(shí)間和訪問(wèn)速度比 AD574A 更快,功耗更低。AD674B 的轉(zhuǎn)換時(shí)間為 15 μs(最大值),AD774B 的轉(zhuǎn)換時(shí)間為 8 μs(最大值)。

 

單芯片設(shè)計(jì)采用 Analog Devices 的 BiMOS II 工藝實(shí)現(xiàn),允許將高性能雙極性模擬電路與數(shù)字 CMOS 邏輯組合在同一芯片上。通過(guò)對(duì)薄膜電阻器進(jìn)行有源調(diào)整,可以最大限度地減少偏移線性度和縮放誤差。

 

有五種不同的等級(jí)可供選擇。J 級(jí)和 K 級(jí)的額定工作溫度范圍為 0°C 至 +70°C。A 級(jí)和 B 級(jí)的額定溫度范圍為 -40°C 至 +85°C,T 級(jí)的額定溫度范圍為 -55°C 至 +125°C。 J 級(jí)和 K 級(jí)采用 28 引腳塑料 DIP 或 28 引腳 SOIC。所有其他等級(jí)均采用 28 引腳密封陶瓷 DIP。

 

特征

  • 完備的單芯片 12 位 A/D 轉(zhuǎn)換器,帶有基準(zhǔn)、時(shí)鐘和三態(tài)輸出緩沖器
  • 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列
  • AD574A 的高速升級(jí)
  • 15 μs(最大值)轉(zhuǎn)換時(shí)間 (AD674B)
  • 8 μs(最大值)轉(zhuǎn)換時(shí)間 (AD774B)
  • ±5 V、±10 V、0 V–10 V、0 V–20 V 輸入范圍

 

產(chǎn)品亮點(diǎn)

  1. 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列:AD674B 和 AD774B 使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) AD574A 建立的引腳排列。
  2. 模擬作:精密、激光調(diào)整的縮放和雙極偏移電阻器提供四個(gè)校準(zhǔn)范圍:0 V 至 10 V 和 0 V 至 20 V 單極;–5 V 至 +5 V 和 –10 V 至 +10 V 雙極。AD674B 和 AD774B 采用 +5 V 和 ±12 V 或 ±15 V 電源供電。
  3. 靈活的數(shù)字接口:片上多模式三態(tài)輸出緩沖器和接口邏輯允許直接連接到大多數(shù)微處理器。12 位輸出數(shù)據(jù)可以作為一個(gè) 12 位字或兩個(gè) 8 位字節(jié)(一個(gè)有 8 個(gè)數(shù)據(jù)位,另一個(gè)有 4 個(gè)數(shù)據(jù)位和 4 個(gè)尾隨 0)讀取。
  4. 內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源調(diào)整至 10.00 V,最大誤差為 1%,典型溫度系數(shù)為 10 ppm/°C。該基準(zhǔn)可從外部獲得,可以驅(qū)動(dòng)高達(dá) 2.0 mA 的電流,超出轉(zhuǎn)換器和雙極偏移電阻器的要求。
  5. AD674B 和 AD774B 提供符合 MIL-STD-883 標(biāo)準(zhǔn)的版本。有關(guān)詳細(xì)規(guī)格,請(qǐng)參閱 Analog Devices 產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)或當(dāng)前的 AD674B / AD774B / 883B 數(shù)據(jù)手冊(cè)。

 

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