典型應(yīng)用
- 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
優(yōu)勢(shì)
- 先進(jìn)的工藝技術(shù)
- 超低導(dǎo)通電阻
- 動(dòng)態(tài)電壓變化率（dv/dt）額定值
- 175℃工作溫度
- 快速開關(guān)
- 最高允許結(jié)溫（Tjmax）內(nèi)可重復(fù)承受雪崩擊穿
這款 HEXFET? 功率 MOSFET（金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的條形平面設(shè)計(jì)，采用了最新的加工技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)每單位硅面積的極低導(dǎo)通電阻。該 HEXFET 功率 MOSFET 的其他特性包括 175℃的結(jié)溫工作范圍、快速的開關(guān)速度以及更高的重復(fù)雪崩擊穿額定值。這些優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起，使該設(shè)計(jì)成為一種極為高效可靠的器件，適用于廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。
電氣特性（除非另有說(shuō)明，均在結(jié)溫\(T_J\) = 25℃ 時(shí)測(cè)定）
| 參數(shù) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 條件 |
|---|---|---|---|---|---|
\(V_{(BR)DSS}\) | 漏源擊穿電壓 | 75 | - | V | \(V_{GS}\) = 0V，\(I_D\) = 250μA |
\(\Delta V_{(BR)DSS}/\Delta T\) | 擊穿電壓溫度系數(shù) | 0.09 | - | V/℃ | 參考溫度 25℃，\(I_D\) = 1mA |
\(R_{DS(on)}\) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | - | 0.0078 | Ω | \(V_{GS}\) = 10V，\(I_D\) = 78A |
\(V_{GS(th)}\) | 柵極閾值電壓 | 2.0 | 4.0 | V | \(V_{DS}\) = 10V，\(I_D\) = 250μA |
\(g_{fs}\) | 正向跨導(dǎo) | 74 | - | S | \(V_{DS}\) = 25V，\(I_D\) = 78A |
\(I_{DSS}\) | 漏源漏電流 | - | 20 | μA | \(V_{DS}\) = 75V，\(V_{GS}\) = 0V |
| 250 | \(V_{DS}\) = 60V，\(V_{GS}\) = 0V，\(T_J\) = 150℃ | ||||
\(I_{GSS}\) | 柵源正向漏電流 | - | 200 | nA | \(V_{GS}\) = 20V |
| 柵源反向漏電流 | - | 250 | \(V_{GS}\) = -20V | ||
\(Q_{g}\) | 總柵極電荷 | 160 | 200 | nC | \(I_D\) = 78A |
\(Q_{gs}\) | 柵源電荷 | 35 | 52 | \(V_{DS}\) = 60V | |
\(Q_{gd}\) | 柵漏（米勒）電荷 | 54 | 81 | \(V_{DS}\) = 10V | |
\(t_{d(on)}\) | 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 11 | - | ns | \(V_{DD}\) = 38V③，\(I_D\) = 78A⑥ |
\(t_r\) | 上升時(shí)間 | 150 | - | \(R_D\) = 2.5Ω | |
\(t_{d(off)}\) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 150 | - | \(V_{GS}\) = 10V③ | |
\(t_f\) | 下降時(shí)間 | 140 | - | ||
\(L_D\) | 內(nèi)部漏感 | - | 4.5 | nH | 帶輕載（6mm，0.25in.），從封裝到芯片觸點(diǎn)，源極接地 |
\(L_S\) | 內(nèi)部源感 | - | 7.5 | ||
\(C_{iss}\) | 輸入電容 | - | 5600 | pF | \(V_{DS}\) = 0V |
\(C_{oss}\) | 輸出電容 | - | 890 | \(V_{DS}\) = 25V | |
\(C_{rss}\) | 反向傳輸電容 | - | 190 | f = 1.0KHz，見(jiàn)圖 5 | |
\(C_{oss}\) | 輸出電容 | - | 5800 | \(V_{GS}\) = 0V，\(V_{DS}\) = 1.0V，f = 1.0KHz | |
\(C_{oss eff.}\) | 有效輸出電容 | 560 | - | \(V_{GS}\) = 0V，\(V_{DS}\) = 60V | |
| 1100 | \(V_{GS}\) = 0V，\(V_{DS}\) = 0V 到 60V |
源漏額定值和特性
| 參數(shù) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 條件 |
|---|---|---|---|---|---|
\(I_S\) | 連續(xù)源極電流 | - | 130⑥ | A | MOSFET 符號(hào)表示，含內(nèi)置反向二極管的整體電流，n 溝道結(jié) |
\(I_{SM}\) | 脈沖源極電流 | - | 520 | ||
\(V_{SD}\) | （體二極管）二極管正向電壓 | - | 1.3 | V | \(T_J\) = 25℃，\(I_S\) = 78A，\(V_{GS}\) = 0V④ |
\(t_{rr}\) | 反向恢復(fù)時(shí)間 | 110 | 170 | ns | \(dI/dt\) = 100A/μs④ |
\(Q_{rr}\) | 反向恢復(fù)電荷 | 390 | 590 | nC | |
\(t_{on}\) | 正向?qū)〞r(shí)間 | - | - | 本征導(dǎo)通時(shí)間可忽略（導(dǎo)通主要由\(L_S\) |
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