特點(diǎn)
串行四輸入/輸出?（SQI?）系列閃存
這些設(shè)備具有六線、4位I/O接口
允許低功耗、高性能的操作
低引腳數(shù)封裝。SST26VF064B/064BA
支持與傳統(tǒng)命令集完全兼容
串行外圍接口（SPI）協(xié)議。系統(tǒng)
使用SQI閃存器件的設(shè)計(jì)占用更少的電路板
空間，最終降低系統(tǒng)成本。
SQI家族26系列的所有成員均為制造商
采用專有的高性能CMOS Super
Flash?技術(shù)。分體式柵極單元設(shè)計(jì)和厚度
氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和人
與替代方法相比的可制造性。
SST26VF064B/064BA顯著提高了性能
性能和可靠性，同時(shí)降低功耗
ion。這些設(shè)備使用
單電源2.3-3.6V。總能量控制
sumed是施加電壓、電流和
申請時(shí)間。因?yàn)閷?duì)于任何給定的電壓范圍，
SuperFlash技術(shù)使用較少的電流進(jìn)行編程
克，擦除時(shí)間更短，總能量
在任何擦除或編程操作期間消耗的
低于其他閃存技術(shù)。
SST26VF064B/064BA提供8觸點(diǎn)WDFN
（6毫米x 5毫米或6毫米x 8毫米）、8導(dǎo)聯(lián)SOIJ（5.28毫米），
16導(dǎo)聯(lián)SOIC（7.50毫米）和24球TBGA。見圖
引腳分配見2-2。
訂購后可提供兩種配置。
SST26VF064B通電時(shí)的默認(rèn)WP#和
HOLD#引腳啟用，SIO2和SIO3引腳禁用
