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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSO220N03MD G-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BSO220N03MD G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

BSO220N03MD G-VB是一款高性能的雙N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,設計用于中低電壓和中電流應用。該MOSFET使用Trench技術(shù),具有較低的導通電阻和雙N溝道配置,能夠在20V的漏源極電壓下穩(wěn)定工作,并提供每個溝道最大7.1A的漏極電流。其設計使其適用于多種電源管理和開關(guān)應用,為系統(tǒng)提供高效、可靠的性能。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: BSO220N03MD G-VB
- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 雙N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 26mΩ @ VGS=4.5V;19mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 7.1A
- **技術(shù)**: Trench

### 應用領域和模塊示例

1. **負載開關(guān)**:BSO220N03MD G-VB MOSFET在負載開關(guān)應用中表現(xiàn)出色。其雙N溝道配置允許它在中低電壓下高效地控制多個負載,同時保持低導通電阻,減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率。

2. **電源管理模塊**:在電源管理系統(tǒng)中,這款MOSFET能夠處理中等電流負載并提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。其低導通電阻和雙N溝道配置使其在電源分配和電流保護應用中表現(xiàn)優(yōu)異,有助于確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效能。

3. **電動工具**:BSO220N03MD G-VB MOSFET適用于便攜式電動工具的電源開關(guān)和控制模塊。其中等電流處理能力和低導通電阻確保工具在中負荷條件下的穩(wěn)定運行和高效能。

4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,這款MOSFET能夠在較低電壓和中等電流下提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。其雙N溝道設計和低導通電阻幫助減少功率損耗,提高轉(zhuǎn)換器的效率,從而提升整體系統(tǒng)性能。

5. **通信設備**:BSO220N03MD G-VB MOSFET適用于通信設備中的開關(guān)和功率管理模塊,能夠在中低電壓條件下高效工作,提供可靠的電源控制和保護功能,確保通信設備的穩(wěn)定運行。

BSO220N03MD G-VB憑借其雙N溝道配置、高效的導通性能和低導通電阻,在這些應用中展現(xiàn)出色的性能,是多種電源管理和開關(guān)應用中的理想選擇。

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