--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### APM9928KC-TRL-VB 產(chǎn)品簡介
APM9928KC-TRL-VB 是一款高性能雙 N+P-Channel MOSFET,封裝在 SOP8 封裝中。該 MOSFET 采用先進的溝槽技術,提供優(yōu)異的開關性能和低導通電阻,適合各種需要高效電源管理和開關控制的應用。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝:** SOP8
- **配置:** 雙 N+P-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS):** ±30V
- **柵極-源極電壓 (VGS):** 20(±V)
- **閾值電壓 (Vth):** 1.6V(N-Channel),-1.7V(P-Channel)
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
- N-Channel:4.5V 時 24mΩ,10V 時 18mΩ
- P-Channel:4.5V 時 50mΩ,10V 時 40mΩ
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** ±8A
- **技術:** 溝槽技術

### 應用領域和模塊
1. **電源管理電路:**
- APM9928KC-TRL-VB 的低導通電阻和雙 N+P-Channel 配置使其非常適合用于電源管理電路,例如 DC-DC 轉換器和電源穩(wěn)壓模塊。它能夠高效地控制電源流動,提高系統(tǒng)的轉換效率。
2. **負載開關:**
- 由于其雙 MOSFET 配置,該型號非常適合用于負載開關應用。在各種電子設備中,它可以有效地控制負載的開關操作,例如在電池供電設備中實現(xiàn)高效的負載切換。
3. **電機控制:**
- APM9928KC-TRL-VB 的高電流承載能力和低 RDS(ON) 特性使其在電機控制系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。例如,在直流電機驅動器中,該 MOSFET 可以穩(wěn)定地驅動電機,并優(yōu)化控制性能。
4. **功率放大器:**
- 該 MOSFET 的優(yōu)良開關性能和低功耗特性使其適合用于功率放大器設計中,如音頻功率放大器和射頻功率放大器。它能夠有效地提高功率放大器的性能和效率。
5. **便攜式設備:**
- APM9928KC-TRL-VB 的 SOP8 封裝適合于緊湊的便攜式設備應用。在這些設備中,MOSFET 的高效電源控制和低功耗特性有助于延長電池壽命和提高設備整體性能。
總之,APM9928KC-TRL-VB 是一款多用途的雙 N+P-Channel MOSFET,適用于電源管理、負載開關、電機控制、功率放大器和便攜式設備等領域,提供高效、可靠的電源控制和開關解決方案。
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