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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP9960AGM-HF-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AP9960AGM-HF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### AP9960AGM-HF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AP9960AGM-HF-VB 是一款高效能的雙N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),封裝在緊湊的SOP8外殼中。這款MOSFET采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,特別適用于各種需要高效能開關(guān)和功率管理的應(yīng)用場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: AP9960AGM-HF-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙N+N-溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 
 - 20mΩ @ VGS = 4.5V
 - 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 8.5A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理模塊**:
  - 在開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,AP9960AGM-HF-VB的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力能夠有效降低功率損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,從而提高整體系統(tǒng)的效能和穩(wěn)定性。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**:
  - 適用于無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。其低RDS(ON)特性能夠減少能量損耗,提供更高的電流驅(qū)動(dòng)能力,提升電機(jī)的性能和效率。

3. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
  - 例如智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等設(shè)備中的電池管理和電源控制電路。AP9960AGM-HF-VB能夠有效提高這些設(shè)備的電池壽命和電源管理效率,提供更長(zhǎng)的續(xù)航時(shí)間和更高的性能。

4. **工業(yè)自動(dòng)化控制**:
  - 在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中用于高效能的開關(guān)和控制,保證系統(tǒng)的高可靠性和高效能運(yùn)行。例如用于工業(yè)電源和工業(yè)控制板中的開關(guān)電路。

通過(guò)這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例,我們可以看出AP9960AGM-HF-VB MOSFET的廣泛適用性和高效能特性,使其成為各種電子設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的理想選擇。

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