特點(diǎn)
功能和優(yōu)點(diǎn)
高容量
?60萬(wàn)至300萬(wàn)系統(tǒng)閘門(mén)
?108至504 kbits的真雙端口SRAM
?最多620個(gè)用戶(hù)I/O
可重新編程閃存技術(shù)
?130 nm，7層金屬（6銅），基于閃存的CMOS
過(guò)程
?即時(shí)0級(jí)支持
?單片解決方案
?斷電時(shí)保留編程設(shè)計(jì)
片上用戶(hù)非易失性存儲(chǔ)器
?1 kbit FlashROM，帶同步接口
高性能
?350 MHz系統(tǒng)性能
?3.3 V，66 MHz 64位PCI
系統(tǒng)內(nèi)編程（ISP）與安全
?ISP使用片上128位高級(jí)加密標(biāo)準(zhǔn)
（AES）通過(guò)JTAG解密（符合IEEE 1532）
?FlashLock?設(shè)計(jì)用于保護(hù)FPGA內(nèi)容
低功率
?低功率核心電壓
?支持僅1.5伏系統(tǒng)
?低阻抗閃光開(kāi)關(guān)
高性能路由層次結(jié)構(gòu)
?分段、分層路由和時(shí)鐘結(jié)構(gòu)
?超高速本地和長(zhǎng)途網(wǎng)絡(luò)
?增強(qiáng)型高速超長(zhǎng)線路網(wǎng)絡(luò)
?高性能、低傾斜全球網(wǎng)絡(luò)
?體系結(jié)構(gòu)支持超高利用率
專(zhuān)業(yè)I/O
?700 Mbps DDR、支持LVDS的I/O
?1.5 V、1.8 V、2.5 V和3.3 V混合電壓操作
?組可選I/O電壓——每個(gè)芯片最多8個(gè)組
?單端I/O標(biāo)準(zhǔn)：LVTTL、LVCMOS 3.3 V/
2.5伏/1.8伏/1.5伏、3.3伏PCI/3.3伏PCI-X和LVCMOS
2.5 V/5.0 V輸入
?差分I/O標(biāo)準(zhǔn)：LVPECL、LVDS、B-LVDS和
M-LVDS
?電壓參考I/O標(biāo)準(zhǔn)：GTL+2.5 V/3.3 V，GTL
2.5 V/3.3 V，HSTL I級(jí)和II級(jí)，SSTL2 I級(jí)和Ⅱ級(jí)，SSTR3
一級(jí)和二級(jí)
?輸入、輸出和啟用路徑上的I/O寄存器
?熱插拔和冷插拔I/O
?可編程輸出回轉(zhuǎn)速率和驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
?可編程輸入延遲
?單端輸入上的施密特觸發(fā)器選項(xiàng)
?上拉/下拉較弱
?IEEE 1149.1（JTAG）邊界掃描測(cè)試
?ProASIC?3E系列的引腳兼容封裝
時(shí)鐘調(diào)節(jié)電路（CCC）和PLL
?六個(gè)CCC塊，每個(gè)塊帶有一個(gè)集成PLL
?可配置相移、乘法/除法、延遲功能
和外部反饋
?寬輸入頻率范圍（1.5 MHz至350 MHz）
SRAM和FIFOs
?可變縱橫比4608位RAM塊（×1，×2，×4，×9，
和×18個(gè)可用組織）
?真正的雙端口SRAM（×18除外）
?具有同步操作的24個(gè)SRAM和FIFO配置
高達(dá)350 MHz
ProASIC3E FPGA中的ARM?處理器支持
?M1 ProASIC3E設(shè)備—提供Cortex-M1軟處理器
帶或不帶調(diào)試