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      Vishay

      SI4835DDY-T1-GE3

      MOSFET P-CH 30V 13A 8SO

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      SI4835DDY-T1-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        -3 V
      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        13 A
      • 輸入偏置電容
        1.96 nF
      • 類型
        P溝道
      • 漏源電阻
        18 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -30 V
      • 漏源導通電阻@10V,10A
        18 mΩ
      • 漏源導通電阻
        18 mΩ
      • 柵源電壓
        25 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        3 V
      • 柵極電荷@10V
        65 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時間
        44 ns
      • 反向傳輸電容
        325 pF
      • 功率耗散
        5.6 W
      • 擊穿電壓
        30 V
      • 關閉延遲時間
        28 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        15 ns
      • 上升時間
        100 ns

      Physical

      • 重量
        0.006596 oz
      • 觸點鍍層
        Tin
      • 端子間距
        1.27 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOIC-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1.5 mm
      • 長度
        5 mm
      • 寬度
        4 mm

      SI4835DDY-T1-GE3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • SI4835DDY-T1-GE3
        1年前
        Huaqiu Chip

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