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      STMicroelectronics

      STD13N60M6

      MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

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      STD13N60M6 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        10 A
      • 輸入偏置電容@100V
        509 pF
      • 類型
        N溝道
      • 等級(jí)
        Industrial
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@5A,10V
        380 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        4.75 V
      • 柵極電荷@10V
        13 nC
      • 功率耗散
        92 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 制造商封裝
        DPAK(TO-252)

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Y

      STD13N60M6 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      STD13N60M6 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      STD13N60M6 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Element14

        Element14

      • Digikey

        Digikey