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      Vishay

      SI4434DY-T1-E3

      MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO

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      SI4434DY-T1-E3 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        2.1 A
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        155 mΩ
      • 漏源電壓
        250 V
      • 漏源極擊穿電壓
        250 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,3A
        155 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        155 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        4 V
      • 柵極電荷@10V
        50 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        16 ns
      • 功率耗散
        1.56 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        47 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        19 ns
      • 上升時間
        23 ns

      Physical

      • 重量
        0.006596 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        SOIC-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      Dimension

      • 高度
        1.55 mm
      • 長度
        5 mm
      • 寬度
        4 mm

      SI4434DY-T1-E3 數(shù)據(jù)手冊

      SI4434DY-T1-E3 圖片

      • Digikey

        Digikey

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Future

        Future