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      ON Semiconductor

      FQB1P50TM

      MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK

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      FQB1P50TM 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        -1.5 A
      • 額定電壓
        -500 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        1.5 A
      • 輸入偏置電容@25V
        270 pF
      • 類型
        P溝道
      • 漏源電阻
        8 Ω
      • 漏源電壓
        500 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -500 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,750mA
        8 Ω
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        10.5 Ω
      • 柵源電壓
        30 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        5 V
      • 柵極電荷@10V
        11 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        9 ns
      • 反向傳輸電容@25V
        6 pF
      • 功率耗散
        3.13 W, 63 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        27 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        30 ns
      • 上升時(shí)間
        25 ns

      Physical

      • 配置
        Single
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        D2PAK

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      Dimension

      • 高度
        4.83 mm
      • 長度
        9.65 mm
      • 寬度
        10.67 mm

      FQB1P50TM EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FQB1P50TM 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
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        來源
      • 1年前
        Element14
      • FQB1P50TM
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      FQB1P50TM 圖片

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