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Infineon

IRF9956TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

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IRF9956TRPBF 器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    3.5 A
  • 額定電壓
    20 V
  • 閘/源截止電壓
    20 V
  • 配置
    Dual
  • 連續(xù)漏極電流
    3.5 A
  • 輸入偏置電容
    190 pF
  • 類型
    2個(gè)N溝道
  • 漏源電阻
    200 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,2.2A
    100 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    100 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1 V
  • 柵極電荷@10V
    14 nC
  • 極性
    N+N
  • 晶體管類型
    2個(gè)N溝道(雙)
  • 接通延遲時(shí)間
    6.2 ns
  • 功率耗散
    2 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    13 ns
  • 元件數(shù)量
    2
  • 下降時(shí)間
    3 ns
  • 上升時(shí)間
    8.8 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    SOP-8

Compliance

  • 無(wú)鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.5 mm
  • 長(zhǎng)度
    5 mm
  • 寬度
    4 mm

IRF9956TRPBF EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

IRF9956TRPBF 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IRF9956TRPBF 圖片

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