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ON Semiconductor

FDS6898AZ

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC

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FDS6898AZ 器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    9.4 A
  • 額定電壓
    20 V
  • 閾值電壓
    1 V
  • 閘/源截止電壓
    1 V
  • 配置
    Dual
  • 連續(xù)漏極電流
    9.4 A
  • 輸入偏置電容
    1.821 nF
  • 類型
    2個N溝道
  • 漏源電阻
    14 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    20 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,9.4A
    14 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    14 mΩ
  • 柵源電壓
    12 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1.5 V
  • 柵極電荷@4.5V
    23 nC
  • 晶體管類型
    2個N溝道(雙)
  • 接通延遲時間
    10 ns
  • 功率耗散
    900 mW
  • 關(guān)閉延遲時間
    34 ns
  • 元件數(shù)量
    2
  • 下降時間
    16 ns
  • 上升時間
    15 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 配置
    Dual
  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 焊端樣式
    SMD
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOP-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.5 mm
  • 長度
    5 mm
  • 寬度
    4 mm

FDS6898AZ EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

FDS6898AZ 數(shù)據(jù)手冊

  • 文檔
    標(biāo)題
    上傳于
    來源
  • FDS6898AZ
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

FDS6898AZ 圖片

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  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip