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      Infineon

      IRF7807VTRPBF

      30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS

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      IRF7807VTRPBF 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        8.3 A
      • 額定電壓
        30 V
      • 連續(xù)漏極電流
        8.3 A
      • 漏源電阻
        25 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        25 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@5V
        14 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        6.3 ns
      • 功率耗散
        2.5 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        11 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        2.2 ns
      • 上升時間
        1.2 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOP-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes

      Dimension

      • 高度
        1.5 mm
      • 長度
        5 mm
      • 寬度
        4 mm

      IRF7807VTRPBF 數(shù)據(jù)手冊

      IRF7807VTRPBF 圖片

      • Farnell

        Farnell

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip