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      Infineon

      IRGIB10B60KD1P

      IR的IGBT管（全塑封）IRGIB10B60KD1P

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      IRGIB10B60KD1P 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        16 A
      • 額定電壓
        600 V
      • 集電極電流
        16 A
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        2.1 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        600 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        600 V
      • 配置
        Single
      • 柵極電荷
        41 nC
      • 晶體管類型
        NPT
      • 技術(shù)
        IGBT Gen 5
      • 反向恢復(fù)時間
        79 ns
      • 功率耗散
        44 W
      • 上升時間
        24 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        TO-220F-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes

      IRGIB10B60KD1P 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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      • Huaqiu Chip

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